各位大师，最近用LTC4359做了一个电路，控制一个背靠背的MOS管。 输入最高是DC60V，在测试时，前面的MOS容易烧坏。 测试环境是：输入ACDC电源（DC60V,20A最大）；输出接一个20欧姆滑动变阻器。 我是参考官方原理图做的。 我是并联两个MOS。 坏的时候是其中一个先坏。 已经坏过好几次了。 请大师们指点一下哪里因素造成的。 附件是参考原理图。  LTC4359qudong.pdf2020-1-17 20:20 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 58.22 KB, 下载次数: 24, 下载积分: 财富 -2 LTC4359靠近输入端的MOS容易损坏。
图片中的MOS管。
如果用示波器的单通道去测G,S，可以吗？需要两个通道去测吗？
测试过程中，很明显地看到，是通过SHDN关闭芯片驱动输出，然后再使能SHDN驱动输出的过程中，靠近输入的MOS是击穿了。
典型应用是单向，理想二极管，你背靠背算什么？
版主好。
背靠背是让前面的管子充当一个负载开关。 有这样的用法，上传的是官方DEMO的参考原理图。
1, 为啥别个帮你看问题，下载还需要扣积分 ；2，你的问题看了几遍没看明白；你说的并联到底是左右两个模块并联起来用呢，还是左右各自模块里的充放电管有两个或多个？而且你的测试条件和测试方法也可以更详细的描述下，要不别人也不好替你分析原因，，哪个算前面的？到底哪个管子坏了，怎么测试坏的，看得我一头雾水呀。
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不好意思。
我没注意，下载需要扣分吗？是不是没有设置好？
我也上当了
这是个只适合36V及以下电路的开关电路，尤其是你设计的参数；甚至只能安全承受12V的环境。 MOSFET不只VDS和RDSON！想想人家数据表好坏差不多十页，这点参数绝对花不了那么大劲。 唉！说清楚又得几百贴讨论。 。 。
版主你好。
我上传的是DEMO板图。 我的图是在这个基础上，更换了元件参数的，耐压都是选择100V的。 没有按36V耐压做。
VDS耐压基本与实际开关电压，在这种应用里没啥关系。
设计也不是以此为据。
你好，我在实际设计时用的是英飞凌的一个NMOS，VDS=100V,ID=150A。
其他电容参数也是100V的。
IGBT、MOS管米勒平台处电压值与持IGBT、MOS管米勒平台处电压值与持续时间与什么参数相关？知道驱动电压，驱动电阻，能否根据IGBT或MOS管资料计算出米勒平台的电压值和持续时间？ 最佳答案 MOS管波形问题在反激变换器中，为什么MOS管在断开时波形会存在倾斜（红色圈圈标注的位置），如图所示图片1.png (272.54 KB, 下载次数: 17)下载附件MOS管波形2020-1-15 16:12 上传基本不影响，负载 线性功率MOS寻找。。。。急急急线性功率MOS寻找。。。。急急急麻烦各位有用过类似的，推荐下，万分感谢 xianxin.png(34.69 KB, 下载次数: 14)下载附件2020-1-9 09:02 上传特性如 如何减少BUCK的输出电压和电流的纹波？ 为了减小BUCK的输出电压和电流的纹波，减小功率电感，采用交错并联BUCK是一个不 错的选择。本文浅谈基于数字处理器DSP驱动交错BUCK和闭环的方法，以起到抛砖引玉 的效果。
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