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IGBT、MOS管米勒平台处电压值与持续时间与什么参数相关?

时间:2023-04-27 06:18:25  来源:  浏览量:

IGBT、MOS管米勒平台处电压值与持续时间与什么参数相关?知道驱动电压,驱动电阻,能否根据IGBT或MOS管资料计算出米勒平台的电压值和持续时间? 最佳答案 zhuliu09 查看完整内容 可以估算。

以MOS管硬开通过程(OFF状态切换到ON状态)为例。

米勒平台处的电压由MOS管的漏极电流IDS(一般电源中,漏极连接电感,在开通过程中可以认为电感电流保持不变)和MOS的跨导gf决定,Vmiller=IDS/gf;米勒电压显然是要高于阈值电压Vth的。

米勒平台的持续时间主要受栅极驱动电流Idriver以及MOS管的栅漏寄生电容Cgd的影响,Idriver=(VCC-Vmiller)/Rg,tmiller=cgd*Vds/Idriver,这些都是近似估算,VCC是栅极驱动IC的驱动 ...与结电容有关
VTH;S;ID三个值是除了驱动电压和驱动电阻后的关键量。


可以估算。

以MOS管硬开通过程(OFF状态切换到ON状态)为例。

米勒平台处的电压由MOS管的漏极电流IDS(一般电源中,漏极连接电感,在开通过程中可以认为电感电流保持不变)和MOS的跨导gf决定,Vmiller=IDS/gf;米勒电压显然是要高于阈值电压Vth的。

米勒平台的持续时间主要受栅极驱动电流Idriver以及MOS管的栅漏寄生电容Cgd的影响,Idriver=(VCC-Vmiller)/Rg,tmiller=cgd*Vds/Idriver,这些都是近似估算,VCC是栅极驱动IC的驱动电压(一般为12V),Rg是栅极连接的总的驱动电阻,Vds是MOS的漏极电压,需要留意Cgd的非线性,其值随VDS变化显著。


从曲线上看,跨导随电流的变化很小,那不是电流越大,平台位置越高,最后平台位置=Vge?
Vmiller是否应该加上Vth ?Vmiller 和Rg有无关系,比如 Rg=0?

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