最近在做一个PFC，在核算管子的开关损耗时，在网上看到这个公式：Psw=Fsw*[0.5*Vout*Iinmax*(tr+tf)+0.5*Coss*Vout*Vout]，不太明白这个管子的Coss参数，因为管子的Coss是随着母线电压变化的，那么在这个公式里面，Coss指的是在Vout（PFC输出电压）对应下的值吗？谢谢大致算算就行了，你以为真能算准确？
是的，我也是想大致算算，心里有个谱就行了，毕竟工程允许有一定偏差的。 只是这个公式里面的Coss，在低压以及高压下，变化值太大了，这样0.5*Coss*Vout*Vout的值偏差就不得了。
一个近似的等效：Cds.equivalent = 6.7*Cds25/√Vds_peak , Cds25是Vds=25时的值。
例如：Cds25=200p , Vds_peak=500V, Cds.equiv = 60p 。 也有些MOSFET手册会列出对应能量和时间的等效(或有效)容值 。
非常感谢！
这个公式应该是针对连续模式硬开关PFC的计算，MOSFET每次开通都要把Coss上的等同于PFC输出电压对应的能量损耗在MOSFET上，所以用到了1/2*Coss*Vout*Vout。
这个情况下Coss就是不变的了。
一个小问题：Ec = 1/2 *C*V2 这公式是怎样来的，条件是什么？
条件是本宇宙黑洞之外的地方成立
看来李版不懂我的意思，或是对这公式一知半解。
标准的电容储能公式。
条件是PFC电感连续电流模式MOSFET每个周期硬开通。 一般连续模式控制IC都是定频的，所以乘以频率就变成对应损耗了。
这公式成立的条件是：C 是线性的，可Coss不是，随电压而变的，所以不适用。
用了算出来的Ploss会偏小很多。
因为Coss不是线性的，用它的终值容量和终值电压算出的Ec=1/2 *C*V2 并不是储存在它的能量。
例子：CoolMOSIPX65R190CFDA 手册资料，400V时的Coss是40pF (按Table 15)，1/2 *40pF*400V2 = 3.2uJ , 但按Table 16 , 储能应该是5.5uJ，等效电容=70pF。
用Coss算出来会超大，因为电压高时Coss是会变小的，并不是个稳定的容量。
PFC mos管中VDS电压如下是否正常。想请教一下PFC mos下 CH1: VDS CH2: VGS CH3:电感电流。三者波形如图。产品目前在客户端老是存在炸MOS 的情况，想请问一下什么情况下容易导致mos 炸掉。 PFC及UVP线路我们常见的保护线路除了 OCP 和 OVP 以外，还有 UVP 也是我们必须了解的一个线路，欠压保护（UVP）线路主要作用就是保护电源在输入电压过低时由于振荡不足导致电源元器件损坏。线路 UCC2895做2500W移相全桥前端不用PFUCC2895做2500W移相全桥前端不用PFC，直接接市电整流滤波可以吗？AC176-264V电压工作原理上可以，实际不行，这么大功率，没有PFC，对电网的污染很大，电能利用率低
可以，经常有人这样干，城 如何看懂电路图（四）：振荡和调制电路详解 4月08日 第三届·无线通信技术研讨会 立即报名 12月04日 2015•第二届中国IoT大会 精彩回顾 10月30日ETF•智能硬件开发技术培训会 精彩回顾 10月23日ETF•第三届 消费
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