作为一个电源方面的工程师、技术人员，相信大家对MOSFET都不会陌生。本论坛中，关于MOSFET的帖子也应有尽有：MOSFET结构特点/工作原理、MOSFET驱动技术、MOSFET选型、MOSFET损耗计算等，论坛各大版主、大侠们都发表过各种牛贴，我也不敢在这些方面再多说些什么了。
工程师们要选用某个型号的MOSFET，首先要看的就是规格书/datasheet，拿到MOSFET的规格书/datasheet时，我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢？
本帖的目的就是为了和大家分享一下我对MOSFET规格书/datasheet的理解和一些观点，有什么错误、不当的地方请大家指出，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起学习。
PS：1. 后续内容中规格书/datasheet统一称为datasheet
2. 本帖中有关MOSFET
datasheet的数据截图来自英飞凌IPP60R190C6
datasheet
先附上IPP60R190C6 datasheet
IPP60R190C6-DS-v02_02-EN.pdf
大神你好：
请问MOS管或IGBT单次开通或关断时的损耗怎么从Datasheet直接看出来？？？我看别人文献，说可以直接看出来，单位是 mW/s ,乘以频率f就是开关损耗。。。。。求解答！！！
比如下图，请参考
IGBT都会有Eon、Eoff的曲线，MOSFET很多datasheet上都没有这个曲线
功率大一点的MOSFET的datasheet上边有损耗曲线，碳化硅mosfet的有
主要应该还是自己要合适温升。
赞！！
有原理图吗？可以学习学校
所用芯片KA3525，LM358
123
学习了。。。。。
这个MOS不错，只是好像大家都没有货吧
请教 higel，有两款 Power MOSFET，它们的规格书中‘单脉冲雪崩能量’参数值分别标示为 A管 = 90 mJ；B管 = 390 mJ。
但A、B两管的测试条件不同，该如何判断哪一款的‘单脉冲雪崩能量’参数优劣？请指点一二为盼！
参数标示值如下：
好贴不顶，沉下去可惜了
对于MOSFET Datasheet上的参数，你最关心的是哪一个/几个：
VDS？ID？RDS(on)？Vgs(th)？封装？Ciss,Coss？Qgs,Qgd,Qg？体二极管？雪崩？……
没人回应
那我就从VDS开始吧！
datasheet上电气参数第一个就是V(BR)DSS，即DS击穿电压，也就是我们关心的MOSFET的耐压
此处V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600V MOSFET就能工作在安全状态？
相信很多人的答案是“是！”，曾经我也是这么认为的，但这个正确答案是“不是！”
这个参数是有条件的，这个最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃时，MOSFET上电压不超过600V才算是工作在安全状态。
MOSFET V(BR)DSS是正温度系数的，其实datasheet上有一张V(BR)DSS与Tj的关系图（Table 17），如下：
要是电源用在寒冷的地方，环境温度低到-40℃甚至更低的话，MOSFETV(BR)DSS值<560V，这时候600V就已经超过MOSFET耐压了。
所以在MOSFET使用中，我们都会保留一定的VDS的电压裕量，其中一点就是为了考虑到低温时MOSFETV(BR)DSS值变小了，另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰
沙发！ 继续啦 要看后文~
写的不错，每个参数都要有吗！
好，继续
我会尽量把每个参数都涉及到
感谢，学习了
今天看到了，学习，顶一下
这种帖子一定要顶，别人的经验千金难买，无私奉献给别人的人更可贵！
别人的经验千金难买，无私奉献人更 可贵！ 必须顶
那电流值说的是最大峰值电流吗？粗略的理解应该是超过给定的电流就会坏掉，说的是峰值电流吧，不知道理解的对不对
说到电流，那么接下来就开始看ID
相信大家都知道MOSFET最初都是按xA, xV的命名方式（比如20N60~），慢慢的都转变成Rds(on)和电压的命名方式(比如IPx60R190C6, 190就是指Rds(on)~).
其实从电流到Rds(on)这种命名方式的转变就表明ID和Rds(on)是有着直接联系的，那么它们之间有什么关系呢？
在说明ID和Rds(on)的关系之前，先得跟大家聊聊封装和结温：
1. 封装：影响我们选择MOSFET的条件有哪些？
a) 功耗跟散热性能 -->比如：体积大的封装相比体积小的封装能够承受更大的损耗；铁封比塑封的散热性能更好
b) 对于高压MOSFET还得考虑爬电距离 -->高压的MOSFET就没有SO-8封装的，因为G/D/S间的爬电距离不够
c) 对于低压MOSFET还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻，寄生电感往往会影响到驱动信号，寄生电阻会影响到Rds(on)的值
d) 空间/体积 -->对于一些对体积要求严格的电源，贴片MOSFET就显得有优势了
2. 结温：MOSFET的最高结温Tj_max=150℃，超过此温度会损坏MOSFET，实际使用中建议不要超过70%~90% Tj_max.
回到正题，MOSFET ID和Rds(on)的关系:
(1) 封装能够承受的损耗和封装的散热性能(热阻)之间的关系
(2) MOSFET通过电流ID产生的损耗
(1), (2)联立，计算得到ID和Rds_on的关系
有个问题请教下：
(3)式的成立时建立在（2）的基础上，但是PD仅仅等于直流损耗吗？一般MOSFET的损耗中直流损耗和开关损耗占的比例都不少，这样只计算直流损耗而忽略开关损耗，会不会造成很大的误差？
ID的定义是Continuous drain current，所以此处计算忽略了开关损耗
是的，这个Continuous很重要
那下面会讲到开关损耗么？
想请教个问题，如果结温是150度的MOS、在极端异常情况下接近150度，是否马上会损坏（这是一个界限转换点吗？损坏的机理是什么？是不是当达到150度时，内部电流密度太大从而烧毁？）。还是说想电容光藕一样，不会马上坏但是会对寿命造成很大的衰减呢？
各个厂家应该都会留有余量，应该不会是刚好150度就坏的。
光耦是光衰，电解电容是电解液的挥发，MOSFET没有这种寿命衰减的说法。
今天看到一篇文档，上面有提到MOSFET的寿命是跟温度有关的。（下图红色框中）
非常感谢~
不会立即失效，焊点处经过多个升温-冷却的温度循环后，才会开裂，好比折铁丝，一次肯定不会断，反复次数多了就会折断。
请教一下：您说的对于低压MOSFET还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻，寄生电感往往会影响到驱动信号，寄生电阻会影响到Rds(on)的值。
1. 影响驱动信号，是因为低压MOS驱动电压相对高压MOS比较低，所以寄生电感需要注意吗？
2.寄生电阻也是因为低压MOS的Rds（on）相对小些，所以也要关注？
这些都是相对的，应该是所有的管子都要考虑。
1. 是的！因为低压MOSFET的Vgs_th相对要低，所以同样的计生电感产生的Vgs尖峰，在高压MOSFET中达不到Vgs_th，但这个电压可能会大于低压MOSFET的Vgs_th。
2. 是这样的！假设高、低压MOSFET引脚的电阻都为0.5mR：对高压MOSFET来说，目前最小Rds(on)也就20mR左右，0.5mR/20mR=2.5%，但对低压MOSFET来说，目前Rds(on)最低可以<1mR，0.5mR/1mR=50%。所以相对来说，寄生电阻/引脚电阻在低压MOSFET中显得尤为重要。
想法得到证实，心里也就踏实了。
理解了就好~
是这样的！假设高、低压MOSFET引脚的电阻都为0.5mR：对高压MOSFET来说，目前最小Rds(on)也就20mR左右，0.5mR/20mR=2.5%，但对低压MOSFET来说，目前Rds(on)最低可以<1mR，0.5mR/1mR=50%,这里20mr与1mr是怎么计算出来的？
 人家都说是假设了，还计算？
赞一个
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关于这一点，我想问下实际工作的情况下，我们怎么计算当前管子的结温呢？
命名规则是有一定广告意图的，平面管比较看重ID，而超结因为因为RDS就是他的优势所以迫不及待的要在命名上体现一番
CoolMOS都在按Rds(on)命名了，一个个都在号称做到了世界上最低Rds(on)
其实ID只是个参考值，损耗【ID*Rds(on)^2】引起的温升超过Tj_max才是MOSFET坏掉最终原因
那意思是比如峰值电流10a的mos，我让他通过20a的占空比为10%的电流，mos散热散热足够的情况下，是不可能死的咯？
是的，理论上只要你能够做到结温不超过Tj-max，多大电流都行
瞬间电流过大引起的损耗大大超出雪崩能量，也可以？？？？
本来我也以为不行，但实验后发现没炸管子。。。。所以，我也认为ID仅供参考。只要温度不过热。一切都没问题。
对的，MOSFET的损坏的最终原因都是因为热，所以同样功率、同样拓扑的电源，因为散热方式不一样，MOSFET选择也会有很大的差异
你觉得雷击试验的时候，MOSFET一下子被打死掉，MOSFET都是温度很高的？？？
是的，瞬态温升
瞬态结温要怎么计算？
有没有计算工具或者相关文档
仔细看看这个帖子吧，有介绍的
文档我找找，找到了发上来
应该是Eas参数吧，瞬间能量不能超过这个值
雷击浪涌坏 mos， 4KV的雷击电压，通过MOV、TVS等吸收后，若残压远＞Vdss ， ------MOS坏 不是BR，而是瞬态温度吗？
mos损坏是因为里面的东西发生了迁移 这种迁移的速度和温度相关 在低温下表现为睡到效应 方向和电流大小相关
雪崩是电压的概念，瞬间大电流并不是指雪崩
瞬间大电流是因为I^2*Rds(on)损耗导致温升超过Tj_max损坏MOSFET的
所谓雪崩能量，只有电压没电流，能量不是为0了，另外，据我了解，很多MOSFET产家计算雪崩能量，可不是单单看电压而已，电压电流波形要同时看，才能计算出来~~~~~~~~~~~·
不是说只有电压没有电流，一般判断是否进入雪崩是看电压波形
算雪崩能量时还是必须得用到电流的
我100A输出，同步整流端占空比6%。你想想那个峰值电流得多大。mos也没死。
嗯，我也试过。的确烧不坏。ID真的只是给的参考值。
讲的不错，希望继续
继续啦 写的好
Rds(on)
从MOSFET Rds(on)与Tj的图表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正温度系数，MOSFET的这一特性使得MOSFET易于并联使用。
Vgs(th)
相信这个值大家都熟悉，但是Vgs(th)是负温度系数有多少人知道，你知道吗？(下面两图分别来自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 G datasheet.)
相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性，这也是正常的，因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图，这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上，高温时也就到2V左右。但对于低压MOSFET就有点不一样了，很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V，高温时最低都要接近0.8V了，这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。
所以，低压MOSFET使用时一定要留意Vgs(th)的这个负温度系数的特性！！
很实用，谢谢科普
旺楼，前排占个位置招租。。。。
更新预告：Ciss, Coss, Qg
睡觉
MOSFET带寄生电容的等效模型
Ciss=Cgd+Cgs, Coss=Cgd+Cds, Crss=Cgd
Ciss, Coss, Crss的容值都是随着VDS电压改变而改变的，如下图：
Qg
从此图中能够看出：
1. Qg并不等于Qgs+Qgd！！
2. Vgs高，Qg大，而Qg大，驱动损耗大
讲得不错，我手里一份资料也是这样描述的，有个问题，CISS,COSS,CRSS,都是在1MHZ时候定义的，那平时工作在50KHZ时候该怎么计算，因为资料里没讲，所以我问一下~~~
频率变化对Ciss,Coss,Crss没什么影响的，主要考虑VDS对这几个值的影响
50kHz时也可以按datasheet中标的值去用
Qg是什么？
在半桥LLC拓扑中，在死区时间时，我们需要将上下桥臂中的一个MOSFET Coss上的电容从0充电到Vin，同时将另外一个MOSFET Coss上的电容从Vin放电到0，此时等效电容Ceq等于上下桥臂MOSFET的Ciss之和，但由于上下桥臂MOSFET上VDS电压的差别，Ceq的电容将会如下图：
在LLC拓扑中，减小死区时间可以提高效率，但过小的死区时间会导致无法实现ZVS。因此选择在VDS在低压时Coss较小的MOSFET可以让LLC更加容易实现ZVS，死区时间也可以适当减小，从而提升效率。
Ceq应该是等于上下桥臂MOS的COSS之和吧？Ciss？另外我想知道CoSS/Ciss/Crss都是随电压变化，那么怎么计算他们的Qg？举个例子，400V母线电压，刚放电时，CoSS是1000pF，当放电到200V，Coss是否同步变化，那到底应该用对应哪个电压的CoSS去计算？
非常好，学习了！
平时看手册基本就看一噶耐压值，还真没注意这么多讲究，谢谢分享！
谢谢科普
学习
学习学习，楼主辛苦了！
你好，請問下，Vgs(th)和VGS中哪一個才是MOS的驅動電壓？
Vgs(th)是MOS管的启动电压，达到Vgs(th)，MOS管刚刚开启，但没有完全导通，一般达到10V以上，管子完全导通。
并联使用的时候 3个脚对应连在一起就可以了吗？？
并不是这样的，每个MOSFET都得有自己的驱动电阻，建议最好每个驱动电阻再串联一个小磁珠
实际上高频高压时并联MOS非常不好处理,比三极管还难,很容易炸管!
是的，并联是个技术活
确实，我并联后返修率比单管的高不少，找不到原因。
特别是我们以前做过的一款600KW的机器，6管并联，那个玩意炸机时，还不知道该怎么去查？郁闷
驱动要分开
同时还要尽量保持一致
一定得先连一起
你好，多管并联，MOS管哪些参数要一致？S与S、D与D、G与G(是否先串个电阻再才能)并连？
赞一个！！！
顶！看到楼主的解说，才这个参数，蛮重要！！！
IGBT也有这样的耐压特性，1700V的可以耐到1900V+
好像Si半导体都有这样的耐压特性
按道理说，温度越高，漏电流越大，耐压越低才是，为什么温度高了反而耐压高
半导体材料还有这样一个特性：温度越高，电阻率越高（刚刚百度的）
这个特点就可以解释为什么温度高耐压就高了
请教一个问题。MOS的VDS是正温度系数，但是这个值有什么影响呢？（与常温比较）。因为击穿后，MOS的温度是上升，这个时候VDS也会上升，导致雪崩停止。举个例子，假如60V的MOS，在低温下（-55C）击穿电压温54V，该MOS在应用中，VDS的关断后平台电压为56V，那么在低温下就会击穿雪崩，但是因为温度会上升，VDS击穿电压也上升，雪崩自然很快截止，所以电源还是安全的。
还是说这种情况的应用是很危险的，因为从另一个角度说，MOS的损害与两个因素有关：一个是表现为热（结温）；一个表现为Idsmax。在雪崩的发生时，由于VDS平台的能量太大，Idsmax会超出了MOS的最大承受电流，从而MOS损坏呢。
上面这两种情况，那一种会先动作呢？1）温度上升，雪崩停止；2）电流过大，雪崩停止前，MOS已经损坏。。
感觉有点矛盾，所以，同问！
这个地方，看起来确实有点矛盾的感觉，但是为了可靠性的考虑希望实际应用时考虑一下低温时的BVDSS。
我认为MOS的损坏最终还是因为热，所以当散热能力足够好时，可能会是（1），当散热能力不够时，可能是（2）。
你是怎么看的？欢迎指点！
看这图意思是MOS管的耐压随着环境温度降低，耐压跟着降低？
你看反了吧，耐压跟温度是正温度系数，温度低耐压跟着低
挺好的！学习了…………！期待后面的更加精彩…………！
看到这里我就准备收藏了~
同收
顶！经验千金难买，无私奉献！可贵！
好，继续！
实际工作电压只要不大于BVDSS（规格书标600V），MOS管就不会坏，600V是管子的最高安全工作电压.
还有体二极管的几个参数，补上！
VSD，二极管正向压降 ==>这个参数不是关注的重点
trr，二极管反向回复时间 ==>越小越好
Qrr，反向恢复电荷 ==>Qrr大小关系到MOSFET的开关损耗，越小越好，trr越小此值也会小
trr越小此值也会小---------这个未必
从上图看出，Qrr就是Qs+Qf，也就是以trr为底以Irrm为高的三角形面积，可见考量反向恢复损耗时还要考虑反向恢复电流Irrm，相同的Qrr时，trr越小意味着Irrm越大，di/dt也大，反向恢复特性越硬，这种特性在超结MOS上暴露无遗
多谢武哥指正
我这种说法有局限性，前提条件得是di/dt是一样的
事实上不同制程的MOS，如果只看trr和Qrr也是不够准确的反应反向恢复特性，因为qrr未必是一个规则的三角形，差不多的“面积”和“低”也会有很不一样的“高”
以下是2款不同制程的MOS，平面MOS和
超结MOS，工作在容性区时的电流波形
从参数来看，平面MOS在数据上比不上超结MOS，但从波形上看好了很多。
这个还请武哥帮忙分析一下，是什么参数会让波形有这么大的差别，让我们学习一下！
平面MOS用着比coolmos结实，尤其是做短路保护时效果很明显
酷的芯片小了3倍当然没有平面的结实啦
sic的更小
那岂不是SiC短路更不禁搞？
是的，几us就死掉了
这些是同一个板子，同样条件下测出来的波形吗？
同一块板子换不同MOS测的。体二极管反向恢复特性一直都是超结MOS的死穴，初步推断是由于其反恢复电流峰值和di/dt比较大的原因，像20N60C3这种Irr高达70A，但可惜没有哪家会提供详细的曲线给参考
我怀疑他的曲线是酱紫的
多谢武哥讲解！
这张图很形象，一下就了解了
请教一个问题，我们知道MOS的电流是可以双向流通的，即电流可以从D到S，也可以从S到D，那当电流是从S到D时，电流是怎么流的呢，是从MOS自身流过，还是从MOS的体二极管流过的呢。还望解答！
导通时测压降可以吗
关于Qrr这一块和开关损耗这块的关联，版主能解释一些么！谢谢……！
顶！经验千金难买，无私奉献！可贵！
双手支持！
支持一下。
好贴，一定要顶！
这个参数我一直不知道什么意思。 100V 100Amos 但是不是每个手册里面都有这个参数的
没见到过这个参数，你截图上来大家一起看看
好帖顶一下，学习学习
顶一个，有空给大家讲一讲比较重要的SOA。
会的！
明天来更新SOA~
SOA曲线可以分为4个部分：
1. Rds_on的限制，如下图红色线附近部分
此图中：
当VDS=1V时，Y轴对应的ID为2A，Rds=VDS/ID=0.5R ==>Tj=150℃时，Rds(on)约为0.5R
当VDS=10V时，Y轴对应的ID为20A，Rds=VDS/ID=0.5R ==>Tj=150℃时，Rds(on)约为0.5R
所以，此部分曲线中，SOA表现为Tj_max时RDS(on)的限制
2. 最大脉冲电流限制，如下图红色线附近部分
此部分为MOSFET的最大脉冲电流限制，此最大电流对应ID_pulse.
3. VBR(DSS)击穿电压限制，如下图红色线附近部分
此部分为MOSFET VBR(DSS)的限制，最大电压不能超过VBR(DSS) ==>所以在雪崩时，SOA图是没有参考意义的
4. 器件所能够承受的最大的损耗限制，如下图红色线附近部分
上述曲线是怎么来的？这里以图中红线附近的那条线（10us）来分析。
上图中，1处电压、电流分别为：88V, 59A，2处电压、电流分别为：600V, 8.5A。
MOSFET要工作在SOA，即要让MOSFET的结温不超过Tj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC为瞬态热阻
SOA图中，D=0，即为single pulse，红线附近的那条线上时间是10us即10^-5s，从瞬态热阻曲线上可以得到ZthJC=2.4*10^-2
从以上得到的参数可以计算出：
1处的Tj约为：25+88*59*2.4*10^-2=149.6℃
2处的Tj约为：25+600*8.5*2.4*10^-2=147.4℃
D是占空比的意思吗？为什么D=0就对应是single pulse？
D就是占空比，图中没说D=0就是单次脉冲，两个不影响的
是的，D=0就是单次脉冲
其实可以认为单脉冲的tp对于无穷大时间来说，D为0
从瞬态热阻曲线上可以得到ZthJC=2.4*10^-2，大师这边是怎么看出来。
如上图红色圈中，横坐标10us对应single pulse曲线的值，也就大概是2.4*10^-2
大师，请问一下，这个第二个图里D=tp/T，但tp不是等于10的-5次方，而D又等于零，这是怎么回事啊？
按照这样理解，那么图中某一曲线中的某两个点对应的电压电流的乘积（等于功耗）应该是相等的，问题是有的规格书中功耗差异还是挺大的。例如英飞凌的IPB020N10N5中的图中10mS的曲线中的两个点4.5A*20V=90W ，另外一点2A*30V=60W
从数学角度来说，这种坐标系下画直线，除非直线穿过10的整数次幂的点，不然乘积不会相等。
具体原因请问您现在搞清楚了吗？
MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA，但实际应用中不会刚好就是在Tc=25或者80℃，这时候就得想办法把25℃或者80℃时的SOA转换成实际Tc时的曲线。怎样转换呢？
有兴趣的可以发表一下意见~
继续关注更新
这个是有个换算公式的，Infineon的资料上有，我记得分享过这个资料
是的，他们之间的关系式通过瞬态热阻联系起来的
把25℃时的SOA转换成100℃时的曲线：
1. 在25℃的SOA上任意取一点，读出VDS, ID,时间等信息
如上图，1处电压、电流分别为：88V, 59A,tp=10us
计算出对应的功耗：PD=VDS*ID=88*59=5192 （a）
PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC -->此图对应为Tc=25℃ （b）
（a），（b）联立，可以求得ZthJC=(Tj_max-25)/PD=0.024
2. 对于同样的tp的SOA线上，瞬态热阻ZthJC保持不变，Tc=100℃，ZthJC=0.024.
3. 上图中1点电压为88V，Tc=100℃时，PD=(Tj_max-100)/ZthJC=2083
从而可以算出此时最大电流为I=PD/VDS=2083/88=23.67A
4. 同样的方法可以算出电压为600V，Tc=100℃时的最大电流
5. 把电压电流的坐标在图上标出来，可以得到10us的SOA线，同样的方法可以得到其他tp对应的SOA（当然这里得到的SOA还需要结合Tc=100℃时的其他限制条件）
这里的重点就是ZthJC，瞬态热阻在同样tp和D的条件下是一样的，再结合功耗，得到不同电压条件下的电流
ZthJC/瞬态热阻计算：
1. 当占空比D不在ZthJC曲线中时，怎么计算？
2. 当tp<10us是，怎么计算？
不知道怎么的，图片没法上传，明天再看看能不能传得了
 我能传 ,higel试试你OK了嘛？
资料在家里电脑上，晚上回去再试试
这美女是谁？
这是谁
这女的图像：像是德国乐队里的那个法国小妞Ria Schenk Sängerin（Sotiria Schenk）。
这个是娜娜姐？
不好意思，没看到楼主意见对这个问题，提出来了
1. 当占空比D不在ZthJC曲线中时：（其中，SthJC(t)是single pulse对应的瞬态热阻）
2. 当tp<10us时：
跟着higel老师学mos
我来做个例子，但是感觉好像不对，望higel老师纠正！
条件100k频率，5us导通时间，电压600v 环境100度 接温150
根据第二张图瞬时热阻z=k*Rth（0.78） 图上看出来是差不多是 z=0.055*0.78=0.0429
pd=（150°-100°）/0.0429=1165.5
I=Pd/600v=1.942a
意思是mos 100度环境温度情况下，100k 频率 5%占空比，电流为2a时，mos已经阵亡了，，，，，，，，，，，，，，，
实际工作时，VDS=600V时，MOSFET已经关闭了，ID=0~
MOSFET VDS同时不为0时就只有MOSFET的开通和关闭的上升/下降沿
还有，100kHz 5us，占空比是50%
是的，电压600v和电流几a，时间还是5us，不知道啥结构才能出现这样的情况，，，，，说着是5us，，其实心里面想的500ns，，，，
就是一个500ns的导通时间，峰值有个13a左右，，，最高电压400v的样子，不知道该选个啥mos，，，
Tj=Tc+PD*ZthJC
参考这个公式去算，Tj<Tj_max，建议取70%~90%Tj_max
最后实际验证下
79贴中RthJC(t)这个参数是怎么来的？求高手解答
请问，那个时间是指什么？在SOA曲线中。
电压、电流持续时间
电压电流都是实时在变的呢
把时间分成最小的段，挑最大的电压、电流的那一段算瞬时温升
看了好多篇，还是没有看个明白，，，看楼主是根据他画的时间计算的，但是没画出时间的最大电流值怎么计算？不知道ZthJC，也无法算出PD
例如：比如我要环境100度，电压600v 导通时间5us时 最大电流值，谢谢
晚上回去会更新这一部分的
我是这么理解的，导通时间和占空比定了瞬态热阻就定了，它只是传热的参数只与持续时间有关，导通时间为1ms，瞬态热阻为0.25K/W（这里单位是开尔文，楼主的公式应该是经过开尔文和摄氏度变换过的），而耐压值定了，导通时间定了，最大结温实际上已经定了（对于同一个管子），计算25°C下的结温和100°C下的最大结温在其他参数不变的情况下是一样的，只是瞬态积温不同，计算最大结温=25+100*5*0.25=150℃，在计算100℃下的最大电流（150-100）/0.25=100*I，此时电流为2A。这里环境温度为100℃也就是说积温只允许50℃，对应的最大电流为2A
这个地方不能这样子计算吧，我们可以看mos管在80度时的参数，在1处，分别为50v 48A，此时对应的功耗为50*48=2400，随着温度的变化，电压和电流的数值都会发生改变
感谢lz的无私奉献，学到很多！
这个0.024是怎么计算出来的？
感觉没有办法计算啊
PD=VDS*ID=88*59=5192（a）
PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC (b)
(a)与(b) 两式联立，
算不出ZthJC = 0.024啊？
请解释，谢谢！
这个图是在TC=25℃的条件下得出的，为什么可以推导出在Tj=150℃时，Rdson依然等于0.5R。
这个图是在TC=25℃的条件下得出的，为什么可以推导出在Tj=150℃时，Rdson依然等于0.5R。
这个0.5R是在Tj_max时的Rds(on)值，跟Tc无关
l楼主辛苦了，奉上的都是干货
非常深刻，NB
多谢支持！
有没有MOS损耗计算的方法和公式？
此贴只讲datasheet，MOSFET的损耗计算的帖子论坛有很多，你可以去搜一下
此贴是好贴，很多做了很久的工程师对此不知晓。。。。普及常识，赞一个！
写这么多，就是希望能够对大家有点用处
留个脚印，后续观赏！
谢谢！点赞
谢谢分享，很实用。
很实用的分享.
好东西，顶起来！
对于初学者有很大用处，尽管有些看不懂。但至少对于MOS管选型有了些许思路。对规格书看的更仔细了，设计出来的板子可以更严谨。
不懂的可以拿过来跟大神讨教，这有好多厉害人物~~~
真是好贴呀！
楼主把你的干货都掏出来！
真不错！赞一个！
好东西，收藏！
不错，顶一个，请继续。
好帖子，学习。
MARK下，晚点再来看
好贴，
好东西 留个名
还有一个很重要的参数：雪崩
这个参数120帖后继续~~
人气很差，给点动力吧
我来顶一下。关于雪崩，问个问题，重复尖峰超过MOS耐压会否导致雪崩击穿？
MOSFET上有EAR（重复雪崩能量）这个参数，尖峰的能量<EAR，管子还不会被击穿
顶到120贴，学习一下MOSFET的雪崩
谢谢！学习了。
顶，
盖楼
盖楼，加人气！
现实中没有注意到这个参数,坐下听讲~~~
不知道您对MOS管高压串联使用有何见解或使用经验~比如仙童的2N100,如果串联使用,但开通一致性较差的话...有何良策
我只见过StackFET这种MOSFET的用法，不知道你指的串联是这种用法吗
这种串联的方式我用过：IC内部有一个集成的MOS，外面再串一个
这种应用需要VR1,VR2,VR3/ZD1来钳位下面一个MOSFET上的最大VDS电压
这样接法的优点是什么
相当于串联，耐压高了，可以用在高输入电压的场合
EAS：单次雪崩能量，EAR：重复雪崩能量，IAR：重复雪崩电流
雪崩时VDS,ID典型波形：
上图展开后，如下：
MOSFET雪崩时，波形上一个显著的特点是VDS电压被钳位，即上图中VDS有一个明显的平台
正确测试雪崩电压点的方法是什么，科普一下
测试电路如下，具体的测试方法我也没接触过，同样需要有知道的朋友分享一下
MOSFET雪崩的产生：
在MOSFET的结构中，实际上是存在一个寄生三极管的，如上图。在MOSFET的设计中也会采取各种措施去让寄生三极管不起作用，如减小P+Body中的横向电阻RB。
正常情况下，流过RB的电流很小，寄生三极管的VBE约等于0，三极管是处在关闭状态。
雪崩发生时，如果流过RB的雪崩电流达到一定的大小，VBE大于三极管VBE的开启电压，寄生三极管开通，这样将会引起MOSFET无法正常关断，从而损坏MOSFET。
因此，MOSFET的雪崩能力主要体现在以下两个方面：
1. 最大雪崩电流 ==>IAR
2. MOSFET的最大结温Tj_max ==>EAS、EAR 雪崩能量引起发热导致的温升
楼主看105楼回复，是不是有前后有点矛盾~请指教！
雪崩是电压的概念，瞬间大电流并不是指雪崩
瞬间大电流是因为I^2*Rds(on)损耗导致温升超过Tj_max损坏MOSFET的
深圳威兆半导体有限公司，自主研发生产，专业中低压MOS全线，产品主要应用于快充，Type c 移动电源，电动工具，锂电池保护 ，电子烟，航模，小家电等，有需要的朋友及代理商请与张联系：13421304640
单次雪崩能量计算：
上图是典型的单次雪崩VDS,ID波形，对应的单次雪崩能量为：
其中，VBR=1.3BVDSS, L为提供雪崩能量的电感
雪崩能量的典型测试电路如下：
计算出来EAS后，对比datasheet上的EAS值，若在datasheet的范围内，则可认为是安全的（当然前提是雪崩电流<IAR）
同时，还得注意，EAS随结温的增加是减小的
重复雪崩的计算：
上图为典型的重复雪崩波形，对应的重复雪崩能量为：
其中，VBR=1.3BVDSS.
计算出来EAR后，对比datasheet上的EAR值，若在datasheet的范围内，则可认为是安全的（此处默认重复雪崩电流<IAR）
同时也得考虑结温的影响
加油，继续！
学习中，太赞了
针对不同的拓扑，对MOSFET的参数有什么不同的要求呢？怎么选择适合的MOSFET？
欢迎大家发表意见，看法
1. 反激：
反激由于变压器漏感的存在，MOSFET会存在一定的尖峰，因此反激选择MOSFET时，我们要注意耐压值。通常对于全电压的输入，MOSFET耐压(BVDSS)得选600V以上，一般会选择650V。
若是QR反激，为了提高效率，我们会让MOSFET开通时的谷底电压尽量低，这时需要取稍大一些的反射电压，这样MOSFET的耐压值得选更高，通常会选择800V MOSFET。
2. PFC、双管正激等硬开关：
a) 对于PFC、双管正激等常见硬开关拓扑，MOSFET没有像反激那么高的VDS尖峰，通常MOSFET耐压可以选500V, 600V。
b) 硬开关拓扑MOSFET存在较大的开关损耗，为了降低开关损耗，我们可以选择开关更快的MOSFET。而Qg的大小直接影响到MOSFET的开关速度，选择较小Qg的MOSFET有利于减小硬开关拓扑的开关损耗
3. LLC谐振、移相全桥等软开关拓扑：
LLC、移相全桥等软开关拓扑的软开关是通过谐振，在MOSFET开通前让MOSFET的体二极管提前开通实现的。由于二极管的提前导通，在MOSFET开通时二极管的电流存在一个反向恢复，若反向恢复的时间过长，会导致上下管出现直通，损坏MOSFET。因此在这一类拓扑中，我们需要选择trr，Qrr小，也就是选择带有快恢复特性的体二极管的MOSFET。
4. 防反接，Oring MOSFET
这类用法的作用是将MOSFET作为开关，正常工作时管子一直导通，工作中不会出现较高的频率开关，因此管子基本上无开关损耗，损耗主要是导通损耗。选择这类MOS时，我们应该主要考虑Rds(on)，而不去关心其他参数。
请问楼主，PFC启动电路中，如果用MOSFET替代继电器作为开关，是否可行呢？ 我的模块运行一段时间后，电路中继电器经常粘连，恼火中。
理论上可以的，但我没见过这么用的。可能原因有以下几个吧：
1. 需要提供一个额外的驱动信号来驱动MOSFET
2. 这里的MOSFET S极不是接地，需要浮地驱动，电路复杂成本高
3. 高压MOSFET的Rds(on)会比继电器线圈的内阻大，损耗会大，效率会低
4. 高压MOSFET价格也不便宜
你那里继电器经常坏，是不是质量有问题？
是的，电源质量还有问题，优化中。
继电器粘连的改善，搞了一段时间了，没有找到具体原因，才突发奇想，有病乱投医啊。
采用MOS常开着，一直有损耗，嘿嘿，并且电路复杂很多。
是啊，所以综合考虑下来这种情况还是得用继电器。
还有你这个是不是继电器电流选小了，是不是可以考虑换一个继电器型号
用继电器你没并电阻吗
对，应该还要加个吸收的~
RL1是什么用处,如果是RL3的话,你要控制开关时间,等电阻 充电差不多了,才打开继电器,这样就不会烧继电器了,我们一直这么用,从没出过问题
收藏！
还有Vth也很关键
是的，英飞凌最新出的一个系列，把Vth值提高了，这样对软开关来说，关断更快，关断损耗就小了，对效率（特别是轻载/空载时的效率）有提升
MOSFET损耗怎么计算才能准确
算准确，太难了吧
这个只能算个大概
还有电磁兼容的问题呢
QR的EMC会好一点
越高越贵
那必须的！
投票正式开始，投出的每一票都至关重要，最终大奖花落谁家?我们拭目以待...扫描
点击：
该参赛作品编号为NO.14
请楼主顺便科普一下各种封装选型需要考虑的因素
关于封装的选择，前面我有提到过（第16贴）。
封装：影响我们选择MOSFET的条件有哪些？
a) 功耗跟散热性能 -->比如：体积大的封装相比体积小的封装能够承受更大的损耗；铁封比塑封的散热性能更好
b) 对于高压MOSFET还得考虑爬电距离 -->高压的MOSFET就没有SO-8封装的，因为G/D/S间的爬电距离不够
c) 对于低压MOSFET还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻，寄生电感往往会影响到驱动信号，寄生电阻会影响到Rds(on)的值
d) 空间/体积 -->对于一些对体积要求严格的电源，贴片MOSFET就显得有优势了
关于封装的选择，还有哪些方面的影响，还请大家帮忙列出来
各种封装热阻耗散之类的，裸片能承受多大消耗功率，对比一下220F和220加矽胶垫片温升参考
这个我也只是参考一下datasheet中的RthJC, 然后结合一下MOS外壳到散热片，散热片到实际环境的热阻，去大概估算一个RthJA：
RthJA=RthJC+RthCS+RthSA （RthCS为MOS外壳到散热片的热阻，RthSA为散热片到实际环境的热阻）
裸片能够承受多大的损耗这个没有去考虑过，不过一般datasheet上针对不同的封装都有一个最大允许的损耗值，如下：
TO-220F和TO-220加矽胶垫片温升参考，这个从理论上不好分析计算，这个还会跟应用中的散热方式有关（自冷，风冷，水冷等~）。这个可以通过热分析的软件去建模、仿真。
不过在实际的应用中，TO-220F和TO-220有以下区别：
1. TO-220F因为在封装上多一道工艺，价格比同样的TO-220要稍高
2. TO-220封装往往需要配合绝缘片、绝缘粒，带来的安装工艺更复杂，成本会增加
3. 同样的散热片大小、同样的散热方式下，TO-220的散热比TO-220F要好；但TO-220安装过程中的不当会出现绝缘问题，因此对生产工艺要求要高一点
4. 对于有强制散热（风冷、水冷）等应用，推荐使用TO-220
重新整理了一下，整成PDF文档供大家参考。
如果有任何不正确的地方，请大家帮忙指出！！
深入理解MOSFET Datasheet.pdf
下载下来学习
楼主好人啊！
好贴心！！
谢谢啊，太贴心了，我没看到这里有整理好的，本人还新建了一个word，自己去总结，总结了30多页啊，，
不用客气
给力，已下载，很好的资料。
感谢楼主
厉害了我的哥
其实，MOSFET上还是有很多参数非常有用，接下来请higel给大家讲讲动态特性方面的参数
这些参数对于软开关电源参数的设计，损耗的计算，驱动电路的设计都是不可或缺的
期待楼主的精彩讲解
我也期待~~
多谢冰版提出这些前面未涉及到的参数，这些参数还是需要好好留意一下的！
今天下班后，我把自己对这些参数的一些了解写出来，欢迎大家一起来提出自己的意见、建议。
顶起，好贴！
写的灰常好，期待楼主的精彩讲解
老梁版主，给点意见啊，顺便分享一下你的经验~
抽空更新一下！
32贴中有介绍过Ciss, Coss, Crss，这里再聊一下这几个参数在应用中的作用，怎么去去选择合适参数的MOSFET。
1. Ciss,Ciss= CGD+ CGS。
Qgd, Qgs与Cgd, Cgs成正比（Q=I*t），Qg=Qgs+Qgd+Q*，所以，Ciss越大对应的Qg也就会大。在驱动MOSFET时，同样大的驱动电流，Qg越大，对应的Vgs上升时间越长，换句话说就是Ciss大的MOSFET，需要更大的驱动电流来驱动
2. Coss,Coss= CDS+ CGD
在MOSFET的开关过程中，Coss会带来损耗，损耗为1/2*Coss*Vds^2*fsw，因此在选择MOSFET时，可以选择Coss较小的MOSFET来降低开关损耗（特别有利于提高轻载效率）。但是在移相全桥电路中，为了实现软开关，我们需要利用MOSFET的Cds和外部谐振电感谐振，这时候我们往往又得在MOSFET的DS极并联电容（增大Cds）来提供足够的谐振能量以实现软开关。
上面冰版有提到驱动电路的设计，这里必须得提一下MOSFET驱动电流的估算。
MOSFET的开通和关断的速度与MOSFET的栅极电容的充放电速度有关，他们之前的关系可以表示为：
tr(tf)=Vgs*C/I (tr/tf --驱动上升/下降时间，Vgs --电压，C --栅极电容，I --峰值驱动电流)
Qg=C*Vgs
==> tr(tf)=Q/I
==> I=Q/tr(tf) 这里的tr/tf并不是datasheet中的tr/tf，而是实际应用中Vgs的大概上升/下降时间，因为datasheet中的tr/tf是在特定的条件下测试出来的，一般都不去参考这个值。
我们可以用上面得到的公式去估算MOSFET所需的峰值驱动电流。
实际应用中，由于驱动电阻、驱动电压等影响，实际选择的峰值驱动电流需要比计算出来的驱动电流大一些
以IPP60R190C6为例，假设工作频率为100kHz，上升/下降沿时间大约为100ns
Datasheet中Qg=63nC (typ.)，计算出需要峰值电流为：
I=63nC/100ns=0.63A
实际应用中，MOSFET驱动电路中会加驱动电阻，也有走线引入的电阻、电感，实际驱动器的峰值电流可以选择1A~2A。
基础详尽的讲述，学习了！
很不错的解释，看到以后突然觉得驱动电流这个因素还是很重要的
MOS 的驱动电流你这里可以估算，，可怎么去选择外接的驱动电阻的大小啊，，难道用驱动电压直接去除驱动电阻吗，，，
学习了 谢谢分享
很厉害
楼主讲得很好，点32个赞，辛苦了
谢谢；学习了，非常实用，，感谢
讲的很好啊，学习中···
还请老梁版主多多指点！
学习中。。。。。
请教一下MOSFET的损耗如何计算？
目前了解到损耗包括;开通损耗，关断损耗，导通损耗
导通损耗时的电流是去上升阶段（MOSFET导通）的电流值还是整个周期的电流值?请指教！
MOSFET的损耗计算有简易的计算，也有详细的计算
详细的估计要计算个3-4页左右，很复杂
看看楼主有没有好一点的计算方法给大家分享一下
导通损耗计算周期内流过MOSFET的电流有效值
学习中···
写得不错，支持!
绝对好贴，基础！
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授人以鱼不如授人以渔，俺会继续等待的。。。。。。
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其实现在国内的coolmos做的也挺好的，支持国产
支持国货，不过国产器件的耐压和电流裕量要是能和国外大厂看齐就更好了
未来会是国产的天下的，但目前国产的还有一段路要走
有什么推荐的国产产品么
锐俊，低压大电流MOS有优势。
后羿半导体也还好。
无锡新洁能，批量生产高中低压mosfet，cool－mos等
需要样品可联系
无锡美偌科微电子的，MAXPOWER品牌，中低压，大电流功率MOSFET，做得不错！最大电流379A。
留个记号 慢慢消化
已存
mark
mark
先mark，回去再学习学习
收藏
mark
你好，請教一下，1.MOS管datasheet 中Vgs(th)和VGS哪個才是MOS gate的驅動電壓？2、如何選取低壓MOS才是合理的？
场管的VBR(DSS)是200v，请问如果在场管导通时，负载短路了，这个场管能扛得住3.5ms吗？此电压是不是会全部降落到场管，而R51处的电压很低呢？
Rachelmi 给个意见，谢谢
谢谢版主的分享，非常感谢！
不敢不敢
规格书中的VGS(th)才是MOS的开启电压啊，实际电路中，主ic出来的驱动电压一般至少需要有典型值（Type）的3倍，
才可确保管子完全导通。
VGS是管子栅极和源极之间可以承受的最大的电压，通常是+/- 20V,或+/- 30V
我是无锡新洁能功率MOSFET的FAE
正负30V是指Vpp吗
好贴，顶起
先顶再看。
回复一帖
学习！
学习一下啊
正有需要，多谢指导
学习学习！
来了解了解，学习
好文，頂一下
谢谢分享
谢谢楼主！
回复一天
要想电源弄好就要了解每个元件，搬个板登听大师讲
专业的解释是不一样啊
受教了
学习下
学习一下了，正在学习MOSFET相关的知识
xue xi
学习一下。。。。。
搬个板凳听课
感谢分享，很适合我这样的新手，谢谢
好好的文章，学习学习
拜讀中~~太感謝了
谢谢分享
学习
板凳，听课
学习学习
mosfet的datasheet看过不少，基本上关键参数都可以找到
mosfet的datasheet看过不少，基本上关键参数都可以找到
m
对MOSFET规格书/datasheet的理解我来学习的
学习来的
学习下
好贴，期待！
顶
xuexi
。。
期待中。
看看你在讲什么
后可查看
学习一下！
认真学习一下。
学习了
11111
学习学习
要洗
看看
学习一下，正是新手想要的东西
也来学习下
看看
学习一下，
学习
想看看关于MOS方面的探讨
什么时候才能学完
看大神们的帖子受益匪浅！继续学习！
好帖
精华所在
非常感谢楼主啊，学习了
1111111111111
MARK~
MARK
学习了 很有用
顶，好贴，学习了
能够学习下，也不错
真是好帖呀！充电了不少知识，大赞楼主
好贴，值得学习！
MOSFET管子一般的工作频率都是很大的是吧，1M的开关频率没问题吧，我看DS上有写就是OK？烦请版主讲解下这方面内容
帖子很有学习价值
我喜欢这样的楼主，大爱呀，无私分享经验！
好帖+10086
higel:
您好。谢谢您在帖子里面为大家解惑，给您点个赞。
我也有个疑惑的地方，如下图1所述：
图1、我的疑惑
另外，我先请教一下下图2中漏源导通阻抗是怎么算出来的？
图2、某mosfet的特性曲线
mark mark
mark
学习了，写得很好
学习了，写的真好！
关于DCDC测试EMC的电源我的DCDC是电池供电的，测试EMC的时候没有对应的电池，用EMC中心的ACDC供电，那么ACDC输出的电压会不会比电池输出电压产生的干扰大？两者的测试是一样的么？？
肯定不一样啊，A
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