低压MOS管体二极管反向击穿电压 QQ图片20200115170231.png(165.15 KB, 下载次数: 41)下载附件2020-1-15 17:09 上传   就是Vds耐压
VDS和体二极管的反向击穿的是不一样的吧
一样，根本就是一个东西（你以为MOS内部真的另外还有一个二极管啊？）
指的是体2极管反向耐压是MOS最高耐压的X倍，
这个耐压是VDS吧
是的
二极管的耐压值值跟Vds一样的
所谓的MOS耐压=寄生体二极管反向耐压
关于MOS开关管的应用我们有一个电路，输入信号（SELA）是没有驱动能力的方波，要求输入是低电平的时候，输出一个-5V/1A，输入是高电平的时候，输出是0.我觉得一个Nmos管就搞定了，但是我们产品上用的电路是下面 150mA超低电流消耗 输出电压切换功特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616) 开发了 150mA 超低电流消耗，降压 DC/DC 转换器 XC9276 系列。XC9276 系列采用了超 求解关于PMOS开关电路的电压问题如图所示，实际测试中发现，两管G极给低电平时，D极输出3.3V电压正常。两管G极给高电平时，Q1的D极会有1V的电压输出，而Q2的D极会有0.4V的输出。求各位大侠分析
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