最近做的一个项目，打雷击共模4KVNG（确认雷击线路没有问题，因为这种线路用在其他机型上没有问题哦），现象为：PFC的 SENSE电阻，Rcs，Ccs电路检测电路烧毁，其他没有明显的烧毁现象。 很多同事分析为：IC驱动信号受干扰，导致PFC MOS误动作，击穿MOS之后烧毁电流检测线路。 根本原因为：IC的地线影响。 PCB底线走线如图：整改时，发现如果在SENSE电阻地与IC的VCC贴片电容地之间，增加一条20AWG的电子线，焊接两端雷击就没有问题。 这样整改5台样机，都测试通过了。 这是什么缘由？我这个PCB的底线布局应如何优化？请高手赐教 1111.png(54.65 KB, 下载次数: 21)下载附件2020-1-12 19:44 上传   可以试试下图：红色圈的线隔断，增加红色飞线连接。  试试.png (70.79 KB, 下载次数: 16)下载附件2020-1-13 07:40 上传
1.PCB的功率地和信号地，区分有问题. VCC的地，IC和反馈的地要单点接到大电解电容的地.（可以按2楼的方法整改）2.原layout，当surge到来时，IC的VCC和大电解的GND之间电压会被太高，最终导致IC损坏。
所以需要将VCC的地单点直接连到大电解电容的地，功率地和信号地的区分是最基本的layout规则.
请问下信号地和功率地之间加磁珠对系统的稳定性有提高吗？
我认为加磁珠对稳定性没什么影响，磁珠是滤高频的. 很多小功率电源的主回路上也放有磁珠，用来解EMC
实际测试，这样走线，1次雷击浪涌过来，就炸机了。
按2楼图示那样，割掉原来的IC地，再飞线到大电解电容，雷击一次就炸了？
我也很好奇 这样一次就炸了？
VCC绕组和VCC电容，一个地，单点回到大电容。
IC的地以及反馈的地，一起单点回到大电容。 分成三个地：SENSE电阻功率地，VCC供电地，IC和反馈地.
他帮忙上传的这个图的意思是对的，要删除采样电阻到IC的那根地线。 然后通过IC的VCC电容地单点接到大电容GND，但是如果按照目前的布局来看，整个回路面积太大了。 楼主可以看下，IC发出驱动信号到MOS的G极，那返回信号的路径是怎样的呢？返回信号绕了一个很大的圈再回到IC的GND。 我建议楼主重新布局，可以这样的来考虑，假设MOS为了兼顾散热位置不动，可以调整前级的Π型滤波电路将电解电容靠近MOS之后再走线。 尽量做到主功率器件在PCB的一侧，控制电路在PCB的另一侧，当然也要兼顾驱动走线的长短。
VCC滤波电容在芯片之后，雷击浪涌先经过芯片后经过滤波电容，所以会干扰芯片，增加了线之后，线的阻抗大于pcb走线，雷击的时候优先走飞线。
布线太差，最差的那种
版主可以帮他分析下，重点是哪些线出了问题吗？顺便让他实际测试下，让我们跟着学习学习.
PFC芯片不工作有没有大神在，我现在这个电路PFC没驱动，VCC用直流源供电，但是1脚电压1.5V 2脚电压确实6V是什么原因导致的问题啊。 QQ截图20200113171313.png(134 请教三相维也纳PFC使用SiC为啥可以请教一下，怎么分析使用SiC可以简化成三相全桥，谢谢！ SiC器件拓扑.png(35.12 KB, 下载次数: 17)下载附件2020-1-15 09:10 上传SiC器件拓扑Si器件拓 高速信号反射什么是信号反射？为什么反射？求教 ~（百度的请绕路，嘿嘿）举个例子A是信号源、B是接收端，从信号A到B传输需要一定的时间，如果信号源A的频率高于传输频率则收、发不再同步产生了波的概 buck电路老是烧管子，想加RCD吸收电路，欢迎大家指简单的buck电路，上桥臂开关管和下面快恢复二极管都是用的IGBT，型号：K40T1202，耐压耐流为1200V和40A。开关频率是25K，死区时间是1us。
1、输入100V升200V时，两个IGBT都烧了，怀疑驱
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