简单的buck电路，上桥臂开关管和下面快恢复二极管都是用的IGBT，型号：K40T1202，耐压耐流为1200V和40A。开关频率是25K，死区时间是1us。
1、输入100V升200V时，两个IGBT都烧了，怀疑驱动0V关断不可靠，高压导致下管IGBT误导通，直通烧坏IGBT。
2、果断卸了坏的IGBT，安装新的后，驱动采用负压关断，上电，在300V升400V时，又烧了，300V时上管漏源极电压440V左右，下管漏源极电压690V，而且下管关断波形比上管要难看很多，震荡比较厉害，晚上回来上波形。
怀疑如下
1、400V时，下管漏源极电压比较高，击穿IGBT了
2、用IGBT代替快恢复二极管，IGBT和快恢复二极管关断特性不同，可能必须使用快恢复二极管
3、栅源极电阻是4.7K，可能比较小，高压时放电比较慢
补充的图是，输入电压300V时，漏源极电压波形，可以看出，下管漏源电压高达690V，而上管却只有400多V，输入300V升400V时，瞬间管子就坏了。
现在初步怀疑是管子耐压不够了，400V时，可能下管漏源尖峰电压接近或超过1200V，现在想加RCD吸收电路，但是不知道对于buck电路，RCD吸收电路如何计算，如何设计。还请大家指点
自己顶，希望大家指导
开环实验，固定占空比为0.3，减去死区时间，大概占空比0.28，输入300V，负载电阻大小是22欧姆左右，输出电流大概是3.81A，此时，上管漏源极电压是435V，下管是680V。输入300V升400V时，负载不变，然后管子就坏了
布线问题，与原理图无关。
谢谢版主回复，能说详细点吧，有补救措施吗，
在半桥的正负极加高频退耦电容。
1、和4.7K没有关系，那个电阻是做ESD保护的
2、下关是二极管的反向恢复时间和开关环路寄生电感的作用产生电压尖峰，可以优化几点：
a.脉冲功率环路尽可能小
b.给下关管加RCD吸收电路
3.把下管更换为sic-diode
这个电路，负载接一个电池，如果开关管输出时序错了是不是很危险？与直接将下mos管换成二极管的有什么优点？？
二极管安全，如果是MOS管，一旦时序出错，下MOS管先导通，电池就通过下MOS管形成释放回路，而导致电路烧毁。
贴片电容钽电容厂商厂家贴片电容钽电容厂商厂家贴片电容钽电容厂商厂家贴片电容钽电容厂商厂家 东莞市平尚科技有限公司专营出产，贴片电容,贴片钽电容,贴片电阻,贴片电感,贴片二极管,贴片三极管，贴片电感，贴片磁珠，电解电容，高压电容，高慎密电阻/蓝师长教师 13622671559 贴片电容钽电容厂商厂家贴片电容钽电容厂商厂家贴片电容钽电容厂商厂家贴片电容钽电容厂商厂家贴片电
|
