请教一下，怎么分析使用SiC可以简化成三相全桥，谢谢！ SiC器件拓扑.png(35.12 KB, 下载次数: 17)下载附件2020-1-15 09:10 上传  SiC器件拓扑 Si器件拓扑.png(35.91 KB, 下载次数: 12)下载附件2020-1-15 09:10 上传Si器件拓扑没人吗，自己顶一下
si器件常规的都是650V左右的耐压，所以早期的前端三相PFC用的是维也纳整流（三电平，MOS管耐压低）维也纳只能单向整流（AC到DC）SIC器件耐压1200V，做三相PFC耐压轻轻松松，不用选用三电平，直接普通两电平可以解决，同时三相两电平支持双向整流（AC到DCDC到AC），在现在双向电源上面运用相当成熟，SIC器件成本也降了不少，所以很多电源模块也开始用两电平的三相逆变拓扑去替换之前的维也纳整流；
懂了，多谢闪烁大大，最近在看你的PSIM仿真贴，太强大了。 1200V的SiC MOS也就这2年才出的吧。 再问一下现在的Si MOS耐压有比较常用的1200V的吗，因为即使SiC的MOS成本下来了，但是听说浪涌抑制能力还是Si器件强，不知道使用SiC管后对于浪涌防护需不需要做额外的措施还是说只能选用好的厂家器件硬抗？
IGBT的耐压可以达到1200V，但是由于导通时的压降以及二极管的反向回复效应导致热损耗很大，使得不能用1200V的硅管IGBT两电平PFC来替代维也纳？
1200V的IGBT是因为导通压降和二极管反向恢复损耗才不能用在两电平的三相PFC上吗
赞同！
两种拓扑不是一回事，根本原因是体二极管反向恢复特性。
使用SiC二极管替代Si二极管是因为反向恢复的原因，因为SiC二极管不存在反向恢复吧，我主要是不清楚为啥MOS管有这样一个替换关系，现在懂了，多谢。
请参考 单相图腾柱PFC，因为另一个MOS要做为续流二极管使用，对反向恢复有很高的要求，所以只能用SIC做图腾柱PFC。
这两路LLC直接并联可行吗？交错控制吧？
PFC MOSFET开关损耗公式疑问？最近在做一个PFC，在核算管子的开关损耗时，在网上看到这个公式：Psw=Fsw*[0.5*Vout*Iinmax*(tr+tf)+0.5*Coss*Vout*Vout]，不太明白这个管子的Coss参数，因为管子的Coss是随着母线电 PFC mos管中VDS电压如下是否正常。想请教一下PFC mos下 CH1: VDS CH2: VGS CH3:电感电流。三者波形如图。产品目前在客户端老是存在炸MOS 的情况，想请问一下什么情况下容易导致mos 炸掉。 PFC及UVP线路我们常见的保护线路除了 OCP 和 OVP 以外，还有 UVP 也是我们必须了解的一个线路，欠压保护（UVP）线路主要作用就是保护电源在输入电压过低时由于振荡不足导致电源元器件损坏。线路 电磁兼容难道只是电磁兼容这么简单？ 某个人早晨吃了三个包子，喝了一大碗稀饭，脑满肠肥的去上班。刚到单位，同事递给一小块巧克力，管不住嘴又给吃下去了。这回真给吃撑了。一上午，见人就嚷嚷，“都怪那个谁谁，非得给我
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