VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
Vp---穿通电压。
VSB---二次击穿电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
V n---噪声电压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
[稳压电源]可控硅过压保护电路参数如图所示，输入电压范围9-24V。
目的是限压26V。
可控硅用的单向7.5A，触发电流15mA。
现在计算稳压管的参数稳压值和功率。
电阻的值。
请问，您的这种电路实际应用效果怎么样？ 关于变压器整流滤波稳压后给运放供本帖最后由萤火于2017-6-1411:20编辑如下图，是我用multisim大致画的一个简图（不一定对，就是表达一下自己不懂得地方），功能是：用线性电源给高压运放供电，驱动容性负载。
首先220V 哪位大师能解释下这四个参数相互的 小弟一直没弄明白输入电压，匝比，占空比，反射电压这四者之间的相互关系和具体哪几个公式能说明他们的关系？ 正比还是反比？
谁能给我讲明白透彻一点啊？ 不甚感激！ 仿电流斜坡的峰值电流控制问题（芯片LM5117）最近在做一个buck变换器，使用的是TI的芯片型号LM5117.Datasheet已经附在附件中。其中第19页的一个式子dI1/dI0=1-1/K这个公式始终无法理解（已在图中表示出），因为这个芯片是用外
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