CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
[稳压电源]可控硅过压保护电路参数如图所示，输入电压范围9-24V。
目的是限压26V。
可控硅用的单向7.5A，触发电流15mA。
现在计算稳压管的参数稳压值和功率。
电阻的值。
请问，您的这种电路实际应用效果怎么样？ 关于变压器整流滤波稳压后给运放供本帖最后由萤火于2017-6-1411:20编辑如下图，是我用multisim大致画的一个简图（不一定对，就是表达一下自己不懂得地方），功能是：用线性电源给高压运放供电，驱动容性负载。
首先220V 哪位大师能解释下这四个参数相互的 小弟一直没弄明白输入电压，匝比，占空比，反射电压这四者之间的相互关系和具体哪几个公式能说明他们的关系？ 正比还是反比？
谁能给我讲明白透彻一点啊？ 不甚感激！ 仿电流斜坡的峰值电流控制问题（芯片LM5117）最近在做一个buck变换器，使用的是TI的芯片型号LM5117.Datasheet已经附在附件中。其中第19页的一个式子dI1/dI0=1-1/K这个公式始终无法理解（已在图中表示出），因为这个芯片是用外
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