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平尚说其半导体二极管参数符号及其意义

时间:2014-06-10 10:36:04  来源:  浏览量:

Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ISB---二次击穿电流
IAGC---正向自动控制电流
Pc---集电极耗散功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pi---输入功率
Po---输出功率
Posc---振荡功率
Pn---噪声功率
Ptot---总耗散功率
ESB---二次击穿能量
rbb'---基区扩展电阻(基区本征电阻)
rbb'Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻
roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE---外接发射极电阻(外电路参数)
RB---外接基极电阻(外电路参数)
Rc ---外接集电极电阻(外电路参数)
RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数)
RL---负载电阻(外电路参数)
RG---信号源内阻
Rth---热阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---最大允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
ton---开通时间
toff---关断时间
VCB---集电极-基极(直流)电压
VCE---集电极-发射极(直流)电压
VBE---基极发射极(直流)电压
VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
  • [稳压电源]可控硅过压保护电路参数如图所示,输入电压范围9-24V。
    目的是限压26V。
    可控硅用的单向7.5A,触发电流15mA。
    现在计算稳压管的参数稳压值和功率。
    电阻的值。
    请问,您的这种电路实际应用效果怎么样?

  • 关于变压器整流滤波稳压后给运放供本帖最后由萤火于2017-6-1411:20编辑如下图,是我用multisim大致画的一个简图(不一定对,就是表达一下自己不懂得地方),功能是:用线性电源给高压运放供电,驱动容性负载。
    首先220V

  • 哪位大师能解释下这四个参数相互的 小弟一直没弄明白输入电压,匝比,占空比,反射电压这四者之间的相互关系和具体哪几个公式能说明他们的关系? 正比还是反比?


    谁能给我讲明白透彻一点啊? 不甚感激!

  • 仿电流斜坡的峰值电流控制问题(芯片LM5117)最近在做一个buck变换器,使用的是TI的芯片型号LM5117.Datasheet已经附在附件中。其中第19页的一个式子dI1/dI0=1-1/K这个公式始终无法理解(已在图中表示出),因为这个芯片是用外

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