LLC拓扑中的MOS，其关断损耗如何大致计算？谢谢已知条件：频率f=100K，输入400V，谐振腔电流有效值6A，所用管子tf为30ns。 计算关断电流， 之后利用V*I关系，这个和其他电路一样计算就可以了；实在不行就示波器测量；
如果知道了关断电流，那么其关断损耗是否可以用这个公式来估算？Psw=Fsw * [0.5 * Vout * Ioff * tf+0.5*Coe*Vout*Vout]其中Coe为等效输出电容。
这个公式基本是硬开关开通损耗吧。
这个公式里面的电流是Ioff关断电流，时间tf也是关断时间，不知道是否正确。
后面的这个0.5*Coe*Vout*Vout应该不需要了，这个是开通瞬间的等效输出电容产生的损耗。
总之就是 0.5*Vds*Ids*tc*fsw 。
开关损耗，LLC只有关断损耗，比较精确的测量可以进行双脉冲测试，可以测出不同电流和电压下的Eoff。
如果只是简单评估关断部分可以按照硬开关的计算方法近似，0.5*Vds*Ids*Toff。 导通损耗，Ron*Ids_rms.LLC MOS上的有效值计算可以参考论文 P120
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