1.1.2 Precharge指令 预充电指令是用来重新激活bank中已经打开的行。在预充电指令发出后，当前bank必须等待一个特定的时间(tRP)后才可以再次激活。 1.1.3 自动刷新指令 DDR2 SDRAM内存需要每7.8μs刷新一次。自动刷新不需要外部提供行地址信息，DDR2 SDRAM内部有一个行地址生成器(也称刷新计数器)用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中所有的存储体进行，所以无需列地址。在进入自动刷新模式前，所有的bank必须都处于预充电状态，自动刷新指令在预充电指令后延迟tRP才能给出。 1.1.4 Active指令 Active用来激活bank中的某一行。在对DDR2内存进行读/写之前，都必须执行该指令把bank中的某一行激活。激活命令到读/写命令之间的最小延迟由AL决定，当AL为0时，最小延迟由tRCD(RAS to CAS delay)决定。当AL不为0时，激活命令到读/写命令之间的最小延迟就可以不受tRCD限制，读/写命令可以提前，但其实最后数据的读/写并不提前，这样可以提高总线的利用率。 需要注意的是，当要激活同一bank中不同的行时，必须先对原来激活的行进行预充电，才能激活新的行。同一bank中连续的active命令之间的间隔必须受tRC(RAS cycle time)的控制。 1.1.5 Read指令 读指令是用来对DDR2内存进行读操作，并对突发读进行初始化。其中BA0和BA1给出bank地址，A0～A1给出起始列地址。突发读结束后，激活的行在预充之前继续保持有效，直到该行被预充电。从列选择到数据输出的延迟为CAS延迟(CL)，整个读延迟等于AL+CL。读操作时由内存给出一个与数据同步的数据滤波信号DQS，它的边沿与读取的数据边沿对齐。 1.1.6 Write指令 Write指令用来控制DDR2内存进行写操作，并给出burst写的起始地址。其中BA0和BA1给出bank地址，A0～A1给出起始列地址。整个写延迟为读延迟减去一个时钟周期，即写延迟等于AL+CL-1。写操作时，控制器同样给出一个与数据同步的数据滤波信号DQS，它的边沿与写数据的中间对齐。
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