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单片机系统Flash存储器在系统编程设计

时间:2016-11-10 11:41:33  来源:  浏览量:

硬件的模式选择通过MCU复位时MODA和MODB管脚进行控制,MODA和MODB的逻辑状态在RESET管脚电平变高之前被锁存。当RE2SET管脚变高后,模式选择管脚对MCU的运行模式不再起作用。复位时如果MODA和MODB管脚全为低电平,则MCU进入上电引导模式。

3 在系统编程的实现

3.1 硬件方案
为了通过M68HC11对AM29F010B进行在系统编程,除了基本组件的设计之外,本系统在硬件方面做了以下准备:
1)为了能够从计算机上下载程序代码,即与计算机进行通讯,本系统设计了MAX232进行TTL电平和RS232电平的转换;
2)为了使MCU开机或者复位能够进入上电引导模式,需要在MODA和MODB管脚处设计跳线,使复位时为低电平。硬件方案简图见图1。

图1 硬件方案

3.2 在系统编程的软件方案
当单片机复位进入上电引导模式后,会自动进行串口的初始化等操作,然后通过串口接收程序,放到RAM内,并自动跳到此程序执行。设计中依靠这个程序实现对外部Flash存储器的编程。

3.2.1 单片机程序
此程序需要下载到M68HC11内部RAM中,在引导程序完成后开始执行。在本系统中用于实现与计算机继续通讯接收程序代码,并且用接收的代码对外部Flash存储器AM29F010B进行编程。

程序的执行过程为1)进行初始化操作;2)等待开始字节“W”;3)等待编程开始地址;4)擦除Flash EPROM,并发送擦除后的地址FFFE和FFFF处数据;5)接收二进制数据,执行编程操作;6)发送AA表明编程成功,并开始执行外部程序。由于M68HC11的RAM只有256个字节,因此程序用汇编语言进行编写,下面是其中几个子程序。

/3初始化,程序在RAM地址中存放,将单片切换到扩展模式,并设置波特率96003/

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