AC90V-300V 输入，反激MOS耐压选650V还是选800V？

都可以。 从性价比来说，可能还是650V的好点，800V的管用量可能小些，价格可能不太好。

我看到明伟使用900V管子 11N90E管子

13N80,11N90，仙童的管子这个型号的应该比较常用。

看到有些小厂用的是650V MOS，但是很多大厂，如艾默生，雷能用得都是800V,900V左右的MOS，设计需要哪些考虑？

主要是出于耐压值，900V余量更高，没有什么压力，650V，余量小应该说没有什么余量了

就是耐压值留的余量不同，800v余量大

650V MOS,  如果做输入浪涌，雷击测试的时候，余量足够吗？

用650V、800V、900V的Vds电压你测试对比下

两可，建议做方案比较

个人认为： 1、650V的管子应该比800V/900V便宜，这个要看成本预算； 2、总体还是看你变压器匝比设计与要求的电压降额多少决定，也就是看你的设计与要求； 3、650V的管子一般来说比800V的结电容要小一点，对效率会好点，对EMI会差点，但不绝对，看具体选哪个管子了； 4、雷击一般来说与管子的耐压性能关系不是特别大，设计可忽略；

650

？

反激的话，得根据你的变压器变比，算出反压，初级MOS上是输入母线电压+开关尖峰电压+反压构成，还要留些裕量

MOSS耐压高，反射电压可以做的高，那么次级二极管耐压就低了。二极管损耗就小了。