想选用一个TVS对PFC的MOSFET进行保护，PFC恒定输出390VDC，启动过冲会达到420VDC，功率在1200W,现在正在苦恼选择这个TVS，百度了一下TVS相关资料，里面有几个参数：
1. Vrwm
2. Vbr.min / Vbr.max
3. Vc
让我摸不着头脑，应该以哪个参数为标准来选择呢？谢谢！
瞬态电压抑制二极管啊，有标称电压，钳位最小电压和最大电压，要让电路在正常工作时的电压（不需要钳位的电压）低于钳位的最小电压，要让电路的尖峰冲击电压小于钳位的最大电压。除了未钳位时，相当于普通二极管，安装一般二极管要求选这参数；还需考虑钳位工作时，若电路正常工作时，钳位工作状态工作时间比较长，则需要考虑功耗；
感谢您的回复
感谢你的热心帮忙！
我刚刚查看了VISHAY的两个TVS，型号分别为：
1.P6KE440A，其中Vrwm=376V, Vbr.min / Vbr.max=418V / 462V, Vc=602V
2.P6KE480A, 其中Vrwm=408V, Vbr.min / Vbr.max=456V / 504V, Vc=658V
那应该选择哪一个更加合适呢？谢谢
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2017-6-27 14:59 上传
因为我的PFC输出为385V，这么说来我应该选用第二个TVS管了？
请问为什么需要为PFC MOSFET选择TVS保护？第一次听说有这种应用。根据本人的理解，PFC输出有大的储能电容，足以吸收巨大的瞬态峰值功率。而通常PFC MOSFET的耐压是500或600V的。即使没TVS也没有危险。
但是如果当PFC的场效应管在关断瞬间呢？这个时候会产生一定的前沿尖峰哦，如果不加TVS，是不是存在这个电压尖峰打穿MOSFET的风险？
关断时是有一个尖峰，一般是通过优化PCB LAYOUT, 加RC吸收电路，调整开关速度，或改善环路响应速度来控制尖峰，保证最坏的尖峰低于MOSFET的额定电压就好了。话说回来，如果是100ns内的尖峰电压，即使超过MOSFET的额定电压，只要其能量也远低于MOSFET的雪崩能量，也是安全的。至于超过100ns的尖峰电压，不太可能出现在PFC MOSFET上，这是因为后面的大电容已经能够响应到，并钳位住这个电压幅度。所以说，TVS用在这里，值得商榷。
分析得很到位，高手呀！谢谢
BCM_Boost_APFC工作不正常输出电压才288V,而且mos管GS脚也没有PWM波，这是什么原因呢？！
BCM_APFC_FAN7930.pdf
2017-7-6 10:50 上传
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