在TD-LTE网络建设中，F频段（1.9GHz）和D频段（2.6GHz）共同用于室外场景的部署。其中F频段的建设方式包括从TD-SCDMA升级和共址新建两种，目前业界对于这两种方案的优劣势争论不休，并且形成了两大阵营，其中新建阵营的主力代表是爱立信。“爱立信主张在F频段上采用新建方式建网，其背后的逻辑是，新建网络可以完全遵循LTE的自身特性，不必受限于TD-SCDMA的组网特点，可以拥有更优秀的性能表现。”爱立信东北亚区执行副总裁兼市场与战略部总经理冯映夺表示。
新建方案以终为始
在分析升级方案优劣势之前，我们先来看“路径依赖”这个术语。“路径依赖”是指事物一旦进入某一路径，就可能在这条道路上不断强化，同时也会受限于这条道路上的某些既有因素。
基于TD-SCDMA网络升级，意味着TD-LTE需要综合权衡现有TD-SCDMA的系统特性，包括时隙配比、阻塞设计、天线角度等，而对TD-SCDMA的考虑，就意味着TD-LTE需要牺牲自己的部分性能指标，注定了升级方案并不能达到最佳的效果，“路径依赖”的负作用因此显现。
这种依赖首先体现在时隙配比方面。在F频段升级方案中，为了与TD-SCDMA共RRU，特殊子帧只能配置成3：9：2，无法用于传输下行数据；而F频段新建方案则无此限制，特殊子帧能够配置成10：2：2，可以用于传输下行数大电流功率电感据。由于特殊子帧配置的差异，F频段升级方案中TD-LTE下行容量较新建方案下降约25%.
在抗阻塞方面，升级方案也受限于TD-SCDMA而无法具有最佳的性能表现。阻塞指标是衡量无线接收机的一个重要方面，它直接影响共站时天面的施工隔离距离，阻塞指标差会使天面选点困难、工程复杂。TD-LTE在F频段的阻塞主要来自相邻频段：往上1900MHz～1920MHz为小灵通所使用，往下1850MHz～1880MHz则为GSM所使用，如果这两个频段同时工作而TD-LTE又没有较强的抗阻塞机制，那么TD-LTE的性能就会大打折扣。
把电源设置在临界模式，怎么理解？ 看了不少反激变压器设计指导，都有这么一句：“为了适应突变的负载电流，我把电源设计在临界电流模式。临界电流 IoB=0.8*Io”
不太明白这个临界模式是什么模式，是不是DCM和CC 大伙帮我看看，为什么我使用3842仿真buck_circuitboost_flyback还请大伙帮我看看，不知道为什么会出现振荡？从理论来讲，电压模式不应该出现次谐波振荡才对啊。
环路的参数是使用saber扫描得到的，理想的电路仿真效果 常看到有IC工作在 burst mode,谁能常看到有IC工作在 burst mode,谁能解释下burst mode是什么模式就是脉冲模式咯应该是打嗝吧!打嗝功能是在短路保护的情况下才发生的啊,BURST MODE 的作用是提高效率和减小待 如何從200Vac 接到220V BLDC?我原本的設計是220-240Vac in, 接到220VDC motor現在要到日本當地電源多為200Vac我要改什麼啊？理論上200Vac 最大P2P可以到1.4倍DC 應該可以應付220VDC BLDC要用transformer
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