一直没有推算出来，反激工作模式与初级感量的关系，请教一下反激是否可以像BUCK那样准确的计算BCM时初级感量？已知 F D Vin Vo Io Np Ns的情况下。 谢谢 1582903250(1).png (115.16 KB, 下载次数: 4)下载附件2020-2-28 23:27 上传肯定是可以的；首先能量守恒：0.5*L*Ip*Ip*F*η=Vo*Io ①Ip=Vin/L*ton② ton=D/F③结合上面三个推出：L=Vin*Vin*D*D*η/（Vo*Io*F）当然会有些许出入，因为实际的漏感和效率肯定跟你的取值不一样。
算出来差异太大了，没有一点意义啊，而且我的 D F VinIo Vo n都是实际测出来的。
此贴155楼：【原创】反激变压器设计要领  
借楼请教李版一个问题，UC3843的反激不加斜坡补偿可否使其工作占空比大于50%，如果可以需要调节哪部分呢？烦请解惑，非常感谢。
加斜坡补偿又不麻烦，为什么不加呢？只要你拿掉它的电流模式，就可以不加斜坡补偿，但拿掉它的电流模式和加斜坡补偿其实的工作量相当。
是这样的，我手上一个产品没加斜坡补偿，可以在低压输入的时候占空比大于50%，可是我按照同样的参数（仅变压器有点出入）做出来的反激相同条件下占空比却是大小波，现在不知道哪里出了问题。
确实与工况有关，有时候即使30%占空比也需要斜坡补偿，你也得加。
即使没加也没问题的案例，你加了更没问题。 一句话，加！如果调试不需要加，不焊元件即可，又不影响啥
可以准确计算在BCM模式的电感量，但是只是针对一个电压值，比如18V-36V工作的电路，只能选择设置在某个电压下临界导通，因为电感量一次只能设置一个，没法变
NMOS工作在可变电阻区以实现降低输先说一下这个问题的由来。板子最初的设计是24V输入，经过LDO芯片5V输出。此时明眼的朋友已经发现，这样使用，LDO的效率会很低，功耗很大。对，就是这样，环境温度高的时候就出问题了。 三极管构成的自锁电路，导通信号没有如图所示自锁电路，在Multisim上仿真时，发现电阻R2如果选择过大（比如10K以上），则一开始仿真，LED灯就亮；若R2选择合适（比如1K以下），则正常工作，上电灯不亮，开关按下，灯亮，按键松开，灯维 基于L6562 FOT模式+L6599的350W电（图中：NC表示 元件不安装的）
这个电源输出24V 最大15A
效果基本还行。不过有个问题就是：
1、如果带负载启动，那么是可以启动的，然后正常运行。
2、正常运行之后输入不关，只关 投射式贴片电容成新宠贴片电容单片式玻璃触控技术已展现出未来成长的动能，手机与平板电脑品牌厂商对于这种新兴结构的导入均表现了浓厚的兴趣。随着触控模块厂商对新应用、新技术和新结构方面积极
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