| 做模拟电路的工程师，都有过利用晶体管（场效应管也是晶体管中的一种）、运放的经验和体味。尤其是在设计时，更会对晶体管的一些电参数进行测试和考量。在测试时，良多人对晶体管电参数的实测值与规格书所供给的规范值，为什么会有很年夜差别，感应不成思议。有时，一些工程师会用实测值来要求供给商，也有一些工程师会把一些特别参数作为常规参数进行措置。这样的后果就是整机产物一致性、频频性差，严重时还会呈现达不到设计指标，更有甚者是在出产中呈现年夜量损坏电子元器件的异常。此时，良多工程师城市把目光钉住那些损坏的晶体管上，觉得是晶体管的质量题目问题，导致的异常。殊不知晶体管的损坏，只是一个概况现象，而深条理的原因，往往是设计师自己造成的。引起这些题目问题的原因有良多，对工程师而言，在选用元器件时，对半导体器件电参数的片面理解，或许是个主要身分。晶体管的电参数，在常规情况下可分为极限参数、直流参数（DC）、交流参数（AC）等。但在现实的利用中，我发现还有良多想测而无法测量到的参数，为使工作便利，我便称其为“功能参数”。分袂述之：一、极限参数所谓极限参数，是指在晶体管工作时，不管因何种原因，都不承诺跨越的参数。这些参数常规的有三个击穿电压（BV）、最年夜集电极电流（Icm）、最年夜集电极耗散功率（Pcm）、晶体管工作的情况（包罗温度、湿度、电磁场、年夜气压等）、存储前提等。在平易近用电子产物的应用中，根基只关心前三个。1、 晶体管的反向击穿电压 界说：在被测PN结两头施加持续可调的反向直流电压，不雅察看其PN结的电流转变情况，当PN结的反向电流呈现猛烈增添时，此时施加到此PN结两头的电压值，就是此PN结的反向击穿电压。每个晶体管都有三个反向击穿电压，分袂是：基极开路时集电极—发射极反向击穿电压（BVceo）、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压（BVcbo）和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。此电参数对工程设计的指导意义是：抉择了晶体管正常工作的电压规模。由此电参数的特征可知，当晶体管在工作中呈现击穿状况，将长短常危险的。是以，在设计中，都给晶体管工作时的电压规模，留有足够的余量。现实上，当晶体管持久工作在较高电压时（晶体管实测值的60%以上），其晶体管的靠得住性将会呈现数量级的下降。有快乐喜爱的可以参考《电子元器件降额准则》。良多公司在对来料进行进库检验时发现，一些品种的反向击穿电压实测值要比规格书上所标的要年夜出良多。这是怎么回事呢？晶体管在出产制造过程中，与一些我们常见的出产完全纷歧样。在晶体管的出产过程中，可以分成二年夜块：芯片制造和封装。在工程分类中，习惯把芯片制造统称为“前道”，而把封装行业统称为“后道”。在前道出产中，从投料起头选原材料，到芯片出厂，一切节制数据，给出的都是规模。芯片在正常出产时，投料的最小单元是“编号批”，每批为24或25片4英寸到8英寸直径的园片。就以4寸片为例，每片可出及格的晶体管只数少则上千，多则可近10万。在现实出产中，最小出产单元是“扩散批”，一个扩散批所投的园片从150片到250片之间。可以想象出，在芯片的前道出产中，每次投料，对以单只来计较的晶体管而言，是一个什么样的数量概念。不说此外，要让一个扩散批所有的材料，具有不异的电特征（这里，也可以说是硅片的电阻率），是不成能的。加上硅片中，不成避免的会有一些固有的缺陷（半导体晶格的层错和位错），使得在几乎不异情况中出产出的统一品种的晶体管，不成能具有完全不异的电特征。这样只能给出一个巨匠都能接管的规模，这就是产物规格书。为了前进出产效率，此刻良多芯片厂都把芯片的“免测率”作为出产线工序能力的一项主要查核指标。所谓的“免测”，是指产物的参数靠设计、工序节制来达到，加工竣事后，经由过程抽测部门相关点的参数，来判定此片的质量情况。当此片的抽测及格率在96%以上时，就把此片芯片列进“免测片”。要使晶体管芯片达到免测试，就必需对其中的一些参数进行“余量放年夜”。而晶体管的反向击穿电压就是重点之一。为了前进晶体管的反射击穿电压，芯片投料时，就会对材料进行优化，优化的考虑是在最差的工艺加工情况下，所出产出的晶体管反向击穿电压也要比规格书高10~20%，而在出产节制时，为了达到出产工艺设计时的指标，又会考虑在最差的情况下，使产物能够达到设计要求，这样，就使已经被放年夜过一次的指标再次被年夜10~20%。这样，就使原本只要求反向击穿电压达到20~30V的晶体管，在实测时，部门就能达到60V以上，甚至更高。这就是为什么有时一些晶体管的反向击穿电压实测值会弘远于规格书的原因。尽管一些晶体管的反向击穿电压值弘远于规格书，那么，是否就可以以实测值来作为利用的依据呢？回覆是否认的。这是因为，所有的晶体管测试法式，都是以规格书上所供给的参数规模，来作为分歧晶体管及格与否的尺度。对反向击穿电压而言，只要比规格书上所划定的值年夜，就判为及格。假如你测量到的反向击穿电压要远高于规格书，不要觉得供给商今后发给你的货，都是具有与此不异的电压特征，供给商所供给的商品，永远只会承诺以规格书为准，也只能是以规格书为准供给商品。规格书上所承诺的，是现实的，而其它，都是虚的。是以，建议在设计选型时，必然要以规格书为准，并留下足够的余量，而不是以什物的测试值为准。在一些高反压晶体管的规格书上，有些反向击穿电压以BVcer和BVcbr来表述。此种表述的寄义是：BVcer——基极与发射极之间，接有一只KΩ量纲的电阻，其它测试事理、测试前提与BVceo不异。同样，BVcbr在测试晶体管的C-B结的反向击穿电压时，其晶体管的发射极不是悬空，而是经由过程一只KΩ量纲的电阻接到“零电位”。晶体管的反向击穿电压凹凸的枚举是：BVcbo≥BVcbr>BVcer>BVceo。晶体管的最年夜集电极电流Icm 晶体管的最年夜集电极电流 Icm界说：晶体管处于共发射极工作时，集电极—发射极之间的电压为必然值，增添晶体管的Ic，跟着Ic的增添，晶体管的放年夜会减小。当晶体管的放年夜降到是正常时（测试前提）的一半时，此时的Ic就称为Icm。此电参数对工程设计的指导意义是：抉择了晶体管正常工作的电流规模。此电参数与放年夜有关。从放年夜（此处所说的放年夜是指晶体管在共发射极电路时的Hfe。在没有出格声名时，都是指此）的公式上可知：Ic=Iceo+β*Ib————（Vce=常数）Iceo————晶体管的漏电流，又称穿透电流晶体管在通电后，总有漏电流（Iceo）的存在。而且Iceo与温度强相关。是以，此参数也与温度强相关。双极型晶体管是电流节制器件。在设计时，对此项参数的考虑要点是必需考虑晶体管的工作情况温度。跟着温度升高，放年夜升高，使晶体管的Ic增年夜，当进进恶性轮回后，晶体管会很快失踪效。在设计时，整机中Ic的实测值，不要跨越规格书所标的60%。假如跨越此值，同样会使晶体管的靠得住性呈现数量级的下降。对此可以从硅材料的导电特征（趋边效应）中，找到谜底。3、 集电极最年夜耗散功率Pcm界说：晶体管工作时，施加在集电极—发射极之间的电压和流过该晶体管集电极电流的乘积，即为此晶体管的集电极耗散功率。所谓集电极最年夜耗散功率Pcm则是考虑到晶体管的热阻、最高结温等综合身分，以文字形式，划定的值，此数值由规格书供给。晶体管的Pcm除了与芯片面积有关外，还与封装形式有关。一般情况下，封装为TO-92的，Pcm<650mW，封装为TO-126的，Pcm<1.25W，封装为TO-220的，Pcm<2W。当芯片采用TO-220的封装时，根基就与芯片面积无关了。需要声名的是，在这里的说的Pcm，都是不带散热片的“***管”。此电参数对工程设计的指导意义是：抉择了晶体管正常工作的功率规模。需要声名的是，Pcm是无法进行测量的，只能靠设计和工艺保证。假如从单一的极限参数来讲，BV（反向击穿）是可逆的，即降低电压，晶体管仍能恢复原本的特征；瞬间的集电极电流跨越Icm了，晶体管也就是放年夜变差而已。但对Pcm就不是了，假如晶体管工作时的Pc跨越了Pcm，那怕是瞬间（毫秒级）的，则晶体管也很可能会永远失踪效，至少会使P-N结受损，这样，会导致整机的靠得住性年夜年夜下降。我在进行客户处事的过程中，此类事碰着过多次。碰着这种情况，建议要首先计较一下晶体管的功率。从Pcm的平安区来讲，设计时不要跨越50%为好。此刻，良多客户在利用晶体管时，往往都把管子的余量用足了，我觉得，这是工程师对产物不负责任的表示。要知道，晶体管的余量是分段、分级的，设计、工艺所设定的余量，是留给产物自己的。而且，既然是余量，就会有年夜有小，而你拿到的样品，则是随机的，假如在这里把样品作为底本，则就是埋下了一颗“按时**”，不知什么时辰会让你惊慌失措。所以我们在设计产物时，也应该给客户留下足够的余量，这是我们工程师的职责。对于Pcm的设计，必然要从最坏的处着手分析，同时，还要考虑情况温度的影响。否则，很可能呈现意想不到的异常。Pcm对半导体器件的限制，可推广到所有的半导体产物。二、直流参数（DC）常规的直流参数有：三个反向漏电流（Iceo、Icbo、Iebo）、两个饱和压降（Vces、Vbes）、共发射极放年夜（Hfe或β）。分述如下。1、 晶体管反向漏电流界说：在PN结两头加必然值反向直流电压，此时检测到的电流，即为被测晶体管的反向漏电流。一个双极型晶体管的反向漏电流有三个，分袂是基极开路，集电极—发射极间的漏电流Iceo、发射极开路，集电极—基极间的漏电流Icbo、以及集电极开路，基极—发射极间的漏电流Iebo。此参数对工程的指导意义是供给了晶体管在设计时所需考虑的电流影响及整机工作时因温度升高，对晶体管此参数的要求。现实上，今朝所利用的晶体管，年夜部份是以硅材料制成的。由硅材料的特征可知，在常温下其漏电是很小的，根基是微安级。但，当温度升高后，其漏电的增涨速度则很高。是以，在用于慎密放年夜（测量）时，必然要寄望此参数对放年夜器的影响。2、 晶体管的饱和压降界说：当晶体管的两个结（集电结、发射结）都处于正偏时，则称此晶体管处于饱和状况，此时，发射结对电流阻碍时发生的电压降，称为前向饱和压降（又称正向压降），记为Vbes；集电结对电流阻碍时发生的电压降，称为反向饱和压降，记为Vces。当晶体管处于饱和状况时，其基极电流对晶体管的节制将失踪往感化，此时，集电极—发射极间的管压降最小。此参数对工程的指导意义是：Vces—限制了晶体管工作时的动态规模；而Vbes—则是指出了晶体管的输进要求及规模。此参数在现实应用中，出题目问题的较少。在设计时，只要考虑到跟着温度升高，饱和压降会变年夜，对基极注进来讲，Vbes小，导致的功效是Ib增年夜，对晶体管的输出来讲，Vces小会呈现工作点偏移。3、 晶体管的共发射极直流放年夜系数Hfe界说：晶体管在共发射极的工作状况时，固定晶体管的集电极—发射极电压（VCE=必然值），在划定的Ic前提下，测量Ib的值，用公式Ic=Iceo+β*Ib————（Vce=常数）（Iceo————晶体管的漏电流，又称穿透电流）求出β≈Ic/Ib（忽略晶体管的漏电流Iceo）。此参数与温度强相关。此参数指了然晶体管基极电流对集电极电流的节制能力。其指导意义是给出了晶体管输出与输进之间的关系。在设计一个电路时，都是从末级输出起头，一步一步往前推，一级一级往前算，这就是对每个晶体管的放年夜量、工作点进行计较和确认。我在做售后处事近程中，所碰着题目问题最多的是客户在进厂检验时，对供给商所供给晶体管的放年夜提出疑问。在措置此类题目问题时，发现了对放年夜检测过程中的误区，在此想经由过程诠释，使巨匠对晶体管的放年夜有一个准确的理解。A：晶体管的放年夜，在前道出产中是最主要的一个物理节制参数。测试时，除了严酷安照产物设计规格要求的测试前提进行外，对情况温度也进行了严酷的节制。一般，芯片加工场测试工序的温度节制规模是22.5℃±0.5℃，而在封装厂，因各个公司的出产前提不尽不异，所能进行节制的精度不尽不异，这样，统一品种的晶体管，在分歧的时代，呈现冬天放年夜偏小，炎天放年夜偏年夜的现象。而在整机厂的进厂检验工位，其情况温度的节制远不如封装厂这样讲究，在这样的情况下检测晶体管的放年夜，呈现误差就在所难免。当某批货的放年夜在规格书规模的边缘时，就会呈现进厂检验不及格。对此，建议整机厂在对晶体管的放猛进行专项验收时，应该在规格书上所承诺的规模上恰当地放宽领受尺度。B：晶体管的放年夜系数，是在一种特定的前提下测得的。从晶体管的各类等效电路上可知，Hfe与Ic的值强相关。有些整机厂为了降低出产成本，采用数字万用表对几乎所有的晶体管进行测试，并以此来作为进厂检验的尺度，这其实是对晶体管放年夜的理解太肤浅了。按照我对数字万用表的检测，发现几乎所有的数字万用表测晶体管时所供给的测试前提是Vce=3V，Ic=0.5~1mA,此测试前提与9014、9015的常规前提附近外，与9012、8050等Icm较年夜的品种，相距甚远。假如你说，我以所保留的样品为准，同样是很荒诞乖张的。因为，你的所谓样品的放年夜，是在芯片加工的节制规模以外的，对此，没有频频性可言。C:对于拔取Hfe的原则。当我们确定利用某款晶体管后，首先要对此管子的放年夜有一个初步体味。有人说，规格书不是已经供给了吗？而我觉得，规格书所供给的规模，长短常粗的。这里，你所设置的工作点，不见得与规格书所标的测试前提不异，你所要求的放年夜，不见得就是规格书所标出的值。是以，当你设计计较竣事后，应该把晶体管在你所设定的电流前提下对所有品种的晶体管都测试一遍，从中看看自己的设定有没有题目问题，然后，还要查一下规格书中的曲线图，验证一下所选的晶体管是不是在平安区内。跟着才是做样板或样机。在对样机的检测中，要寄望晶体管的温度转变（尤其是功放级），是不是在自己的节制这内。假如一切都顺遂，也不能就此失踪以轻心，觉得年夜功乐成，因为良多异常，只有在年夜出产时才会呈现。三、交流参数（AC）晶体管的AC参数有良多，分歧的利用情况、要求、功能，对晶体管的交流参数要求的偏重点是完全纷歧样的。例：当晶体管用于调频收音机的高放时，通俗收音机只要关心fT就够了，但假如斯收音机在二级以上，则就要对完成高放功能的晶体管，还会有噪声（NF）的要求。对此类参数重点论述fT、ts及相关的tf和td.分述如下：1、 共发射极放年夜时的截住频率fT界说：晶体管处于共发射极的工作状况时，基极输进旌旗灯号的频率达到必然数量时，晶体管的放年夜会呈现下降。当频率升高到此管的放年夜即是1时，此频率就称为晶体管的截住频率，又称为特征频率。一般，在规格书上，城市有fT的值。寄望此参数与晶体管的Ic有关，一情况下，Ic越年夜，测到的fT越高。此参数另一个特征是，当放年夜下降到10倍后，频率的升高与放年夜的下降呈线性关系。完全可以用直流方程来求解其中的点。此参数对工程设计的指导意义是划定了晶体管在共发射极状况下，最高工作频率规模。当所设计的线路，要考虑到晶体管的fT时，放年夜器的工作频率只能是fT的十分之一以下。但，不是晶体管的频率越高越好，假如晶体管的频率太高，则会增添引起放年夜器在工作时自激的可能。在做样板时，还要寄望因频率升高后，对PCB板的一些特别要求。2、 晶体管的开关参数当晶体管用于模拟开关感化时，其工作区是晶体管的工作点从截止区到饱和区轮换进行。无论哪种开关，城市有延迟呈现。在规格书上，往往会供给ton、toff的规范。此参数对开关三极管来讲，是一组很主要的参数。在这里，对此参数不进行专门声名。在开关电源普遍应用于各类电器时，各类门类的开关电源，已经是遍地开花。但我在与一些电源出产公司的工程师交流时发现，良多工程师对开关电源的机能、平安性影响极年夜的晶体管开关时候，很少关注，而往往只关注晶体管的击穿电压、放年夜等。对晶体管的这种片面理解，往往会导致出产中呈现题目问题时，感应无从下手。下面重点谈谈此题目问题。当晶体管工作在开关状况时，首先假设晶体管是处于截止状况（即封锁状况）。当在晶体管的基极注进一足够年夜的正向电流起头，到完成一次翻转，要经过4个阶段，分袂是：集电极电流从“0”起头增年夜，升至Icm的10%所需的时候，称为延迟时候，记作td；集电极电流从Icm的10%起头，升至Icm的90%时所需的时候，称为上升时候，记作tr；此时，晶体管被觉得呈开启状况。寄望，此时因输进旌旗灯号仍维持高电平，，所以晶体管的Ic将继续增年夜，只要此注进旌旗灯号维持足够长的时候，晶体管就会进进深饱和状况。当晶体管进进深饱和后，基极电流的增添，对集电极电流将失踪往节制，仅仅能起维持感化。这一点很主要！这两段时候之和相当于规格书中的开启时候ton.也就是说：ton=td+tr当注进旌旗灯号由上升转为下降，集电极电流将从饱和区退出。集电极电流在基极注进反向电流后，从Icm起头下降，到下降至90%时，所需的时候，称为储存时候，记作ts；集电极电流从Icm的90%降到10%的Icm所需的时候，称为下降时候，记作tf.显然，这两段时候之和，就相当于规格书中的关断时候toff.也就是说：toff=ts+tf.在这四个时候段里，ts所占用的时候最长。对电路的影响也最年夜。但其它几个时候段假如不给以足够的寄望，同样会出年夜漏子。在此，给出晶体管一个工作周期的功耗：A：晶体管截止时的功耗：Poff=Iceo*Vcc*toff/T；B：晶体管导通时的功耗：Pon=Ic*Vces*ton/T；C: 晶体管开经由过程程中的功耗：Pr=1/6T Ic(Vc+2Vces)tr；D：晶体管关断过程中的功耗：Pf=1/6T Ic(Vc+2Vces)tf。总功耗Pc=A+B+C+D=Poff+Pon+Pr+Pf在以上这组公式中，截止功耗和导通功耗都比力好理解。对于开通、关断过程的功耗，没有进行推导，直接采用了在良多专业书籍上推导的功效。有快乐喜爱的可以在介绍这方面事理的书中找到。以上是从理论上对晶体管的开关状况时的功耗进行了分析。从中可以发现，晶体管的功耗，与晶体管的开关时候直接相关。晶体管工作的物理过程中，我们已知的事实是：晶体管从截止到饱和，经过放年夜区的时候可以做得很短，也就是说，从晶体管的截止到饱和，只要给晶体管注进足够年夜的基极电流，晶体管就能很快进进饱和状况。但晶体管要从饱和退回到截止，就不是那么等闲了。因ts的存在，使晶体管在经过放年夜区时，所需的时候很长。晶体管在功耗，在放年夜区是最年夜的。是以，晶体管在转换过程中，此过程中的功耗，起了首要感化。实践中发现，晶体管的ts,对振荡频率的影响最年夜。当晶体管起振后，跟着晶体管壳温升高，晶体管几乎所有的电参数发生了转变。其中，影响最年夜的是放年夜、和开关参数。放年夜转变后，对电路所发生的影响，相信工程师们都有体味，但对开关参数转变所引起的后果，则往往很少寄望。而晶体管在开关电源应用中的失踪效，恰好年夜部门是因开关时候在高温下的转变率太年夜而致。我曾做过这方面的尝试：用一组放年夜基秘闻似、但开关时候分歧的晶体管在同样的前提下试验，功效发现，凡是温度异常升高，严重时炸管的，都是tf较年夜的晶体管。经由过程频频对比，发现当晶体管用于节能灯时，tf的影响，不如开关电源那么敏感。而当晶体管用于节能灯时，则对ts相当敏感。在此，可以给出试验结论：晶体管用于节能灯时，ts对灯功率、启动电压相当敏感。在芯片面积小于1平方毫米时，希看ts的取值越年夜越好，至少要在0.7微秒以上；在芯片面积年夜于1平方毫米、小于1.84平方毫米时，要求ts的规模在2.5—4.5微秒摆布；而当芯片面积年夜于2平方毫米时，因芯片加工工艺的关系，不能给出统一的尺度，只能说靠尝试来定了。顺便说一下，芯片面积越年夜，则ts也就越年夜。当晶体管用于开关电源时，假如是线路是采用单管变压器反馈振荡的，则要求tf小于0.7微秒，假如线路采用的是集成电路节制PWM的双管变换线路的，则除了对ts有要求外，对晶体管的tf、td都得加以寄望，必然要经由过程试验得出结论后，才能投产。顺便说一下，tf与BVCEO电压强相关，击穿电压越高，则tf 越年夜。而且，要使ts减小，可以经由过程辐照等工艺，使参数知足要求，而辐照，对tf几乎没有影响。所以，在选用晶体管的参数时，不能只考虑某项单一参数，而要进行周全权衡。讲到这里，根基上就把我对工作现实中，对晶体管参数的考虑要点，全数说完了。巨匠在做工程中，必定还有良多的体味和熟悉。这是在我们上课时，教室里学不到的体味。在这里，我不谈什么理论的出处，若何推导。因为我想，晶体管根本理论的书已经出得够多的了。但，要前进自己的营业能力，光靠念书，是没有用。在此，仅作为抛砖引玉吧。四:对一些异常现象的分析思绪四:对一些异常现象的分析思绪和实例体味晶体管的电参数，是为了用好晶体管。什么叫用好晶体管？是一个智者见智，仁者见仁的题目问题，我相信不会有独一的谜底。我想，作为电子应用工程师，除了对晶体管有所体味，还必需对其它的电子元器件有所体味。在你设计的电路中，就是你对这些元器件理解的组合。在一个电路中，让晶体管工作在最合适的工作点上，阐扬着最佳机能，在完成所希看功能的同时，有较高的靠得住性，对晶体管而言，根基就算用好了。现实上，晶体管只是我们凡是利用的电子元器件中的一类，所有电子产物，都是各类电子元器件的有机组合体。是以，我们在设计一件电子产物时，就是把这些电子器件按人们的要求进行组合。因巨匠对电子器件的理解分歧，对统一类产物的设计理念分歧，就导致了功能各异、机能各异的电子产物。但从原则性角度上讲，我觉得最主要的是：要从“系统”的角度来看待在我们手中做出的产物。下面谈谈我切身履历过的几件事。一、在我负责收音机电路的售后处事时，曾碰着过这样一种现象，出产线上流出的制品，在进仓库，抽检中呈现坏机，坏机的现象是调频活络度下降，噪声增年夜。经查，是主IC的调频输进端已损坏。失踪效率在3%以上。对此，分析了IC芯片、组装工艺、出产线的状况，均无异常。对IC芯片进行剖解后发现，在输进端有电场击穿的痕迹。而对出产的现场，进行检查、跟踪，得出了都在该公司的质量节制规模的结论。而且，那时的气候并不是很干燥，找出这种高压电脉冲是从哪里来的，就成了当务之急。因为题目问题是在进库检查时发现的，所以，就从最后一道工序往前走。走了几遍，没发现题目问题。这时我就对每道工序都提了个为什么——“此工序要达到的功效是什么”，然后再问一下自己，“此种独霸，会引起IC的损伤吗”？带着这样的神色再走在出产现场，公然就有收成了：最后一道工序，是包装，而在包装前，该公司为了收音机概况的洁净，几乎对每台机都用一种有机溶剂，进行了擦试。用这种工艺对外接的拉杆天线进行措置进，发生的静电则因为没有泄放回路，而保留在整机中。当这些电荷经由过程IC的高放电路对地（对电源同）形成泄放时，而此IC的高放，是整块电路中最亏弱的部门，所以就很可能使此IC损坏。想通后，就建议在此IC的高放输进端接进了双向呵护二极管，题目问题获得解决。二、在某电源整机厂，在不异的输出功率情况时，用晶体管Pcm较小（即芯片面积相对较小）的管子正常，而用Pcm较年夜（即芯片面积相对较年夜）的晶体管却年夜量损坏的现象。剖解这些失踪效的晶体管，都是过功率型损坏。在该公司现场体味到的情况使我年夜吃一惊：1.振荡频率达到了75KHZ以上，部门在90KHZ；2.该公司为了前进产物的质量，对所有整机都进行超功率1.2倍的高温老化。经现场计较，此时，晶体管的Pcm已经超出了规格书的数据。对此，我作了如下诠释：1.双极型晶体管在用于开关电源时，受ts、tf等参数的影响，其振荡频率不能跨越50KHZ，否则，晶体管在转换过程中，因经由过程放年夜区的时候太长，晶体管的功耗会较着增年夜，加上此电源又是处于密封状况，在这些综合身分的影响下，会使晶体管的失踪效率较着上升；2.查核时（尤其是在高温情况下），不能让晶体管工作在过功率状况，至于说，为了前进整机的靠得住性而加年夜老化功率，则更是无从谈起，因为，老化只是一种工艺筛选的手段，对产物设计时，只能起到验证的感化。而且，在高温情况中，对电子产物进行过功率老化，有可能使正常的晶体管受损，反而降低了产物的靠得住性。3.综合这些身分，我觉得，只要利用这种方案，迟早要出事。所以那时就给出了两个方案：1、客户改线路，至少要把查核的功率降下来;2、改供给商。因为我公司产物的机能达不到该整机厂的要求。此例给我一个启迪：工程师在设计工具时，除了对整机要有一个准确的熟悉外，对电子元器件也要有准确的熟悉。否则，很可能是好心办坏事。三、某公司在一款交换机的电源建造中，呈现输出效率偏低的异常。一般，开关电源的振荡频率在35—50KHZ，此时常用肖特基管或快恢复二极管作为整流二极管（通俗整流二极管的工作频率小于1000HZ）。因为此电源的开路电压较高，就选用了快恢复二极管（国产肖特基二极管的最高反向击穿电压小于200V）。对此，我觉得是整流二极管的工作效率不够而引起。但因没有检测设备，只能把这些异常的二极管带回公司进行测试。首先，二极管的所有直流参数全数正常，但要对二极管测试交流参数，则必需在专用测试仪长进行。而此类设备，一般在非专业出产厂家，是不会有的。那时，考虑到通俗的整流二极管与快恢复二极管必定存在着某些差别，而要检测这类差此外，只有一台电容测试仪。于是就对比检测了通俗整流二极管4007与107之间的结电容巨细。发现反馈样品与4007的结电容量值几乎不异，而与公司库存快恢复二极管的结电容有较着的差别。于是得出了可能是供给商在发货中呈现了混料的结论。把这些客户的反馈样品交供货商进行检测，获得了证实。此事给我的启迪是：只要我们对一种元器件有了准确的理解，就能从特征上找出差别，对所呈现的题目问题，也就可以做出准确的判定。回忆本人几十年的工作履历，深深感应，当我把所有的事，都从系统的角度长进行分析考虑时，呈现了一个自己都意想不到的飞跃。而这个飞跃，是靠穷年累月的脱手、体味、再脱手、总结而获得的。想做一个工程师，就要有一种刨根问底的精神。而且必然要自己总结。只有这样，才能把书本上的常识，酿成自己的常识。相信巨匠都有这方面的体味。我想，假如把这些工具总结出来，汇编成册，必然是本好书。巨匠一路尽力吧。到此，这篇博文就算写完了。其中一些不雅概念，已经获得了网友的争论。我觉得这是好事。假如觉得有错，接待斧正。2011-2-10于深圳本文作者：喷香雪茶
[稳压电源]可控硅过压保护电路参数如图所示，输入电压范围9-24V。
目的是限压26V。
可控硅用的单向7.5A，触发电流15mA。
现在计算稳压管的参数稳压值和功率。
电阻的值。
请问，您的这种电路实际应用效果怎么样？ 关于变压器整流滤波稳压后给运放供本帖最后由萤火于2017-6-1411:20编辑如下图，是我用multisim大致画的一个简图（不一定对，就是表达一下自己不懂得地方），功能是：用线性电源给高压运放供电，驱动容性负载。
首先220V 利用altera家的arria V进行以太网老师买的altera官方的开发板，850$.最近一直在玩以太网，上面给PHY提供的时钟是25Mhz，我用的TSE IP核，系统时钟也是25MHz，接口用的RGMII。程序在做仿真时，发出的数据和收到数据正确， 大容量级电容器成汽车行业的热门话题目前，大容量级电容器是行业最热门的话题之一了，马自达将在预定2012年上市的车辆配备的减速能量再生系统“i-ELOOP”上，采用双电层电容器 汽车即将配备EDLC
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