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LED材料特性检测技术——PL技术

时间:2016-07-07 09:06:29  来源:  浏览量:

  除了上述中导电带与价电带等能带转换会发出萤光,缺陷也会造成萤光的产生,如图5所示。其中EC、EV和ED分别为导电带、价电带与缺陷能带,其中,缺陷能带分布在EC与EV之间,位置与数量视材料品质而定,图 5中(a)为能带间的电子电洞对复合,(b)和(c)都属于缺陷的复合,(b)为导电带的电子被能带间的缺陷捕捉,(c)为缺陷捕获的电子与价电带电动复合,发出的萤光波段视电子与电洞复合前能带的距离而定。

  

  图5 辐射复合(a)能带间的电子电洞对复合(b)若能带间有缺陷电子会被缺陷捕捉(c)缺陷捕获的电子与价电带电动复合

  光激发萤光量测

  PL光谱仪主要架构有激发源、讯号接收器(spectrometer)、讯号处理器(computer)与低温系统,架构图如图6。

  

  图6 PL光谱仪架构图

  由于蓝光LED能带约在2.75 eV左右,激发源选用波长为325 nm(能量为3.8 eV)、375 nm(能量为3.3 eV)与405 nm(能量为3 eV) 大于其能帯之雷射,光谱仪扫描范围在350 nm到700 nm之间,另外由于温度对辐射复合的萤光强度有很大的影响,量测环境必须做温度控制。以量测蓝光LED为例,PL萤光光谱图如图7,激发源为波长405 nm雷射,蓝光LED波峰位置在461 nm,半高宽为25.2 nm。

  

  图7 PL萤光光谱图

  • 请教磁铁芯材料等级...大家好,



    请问磁铁芯等级PC50, 3F3, N49编号的磁铁芯等级是相同的,



    但我不知道要看哪一个参数是这些编号的等级区别,



    请问有高手可以解答吗?!



    谢谢!







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