凡是学电的，总是避不开模电。 上学时老师教的知识，毕业时统统还给老师。 毕业后又要从事产品设计，《模电》拿起又放下了 n 次，躲不开啊。 毕业多年后，回头望，聊聊模电的学习，但愿对学弟学妹有点帮助。 通观整本书，不外是，晶体管放大电路、场管放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器、波形及变换、功放电路、直流电源等。 然而其中的重点，应该是场管和运放。 何也? 按理说，场管不是教材的重点，但目前实际中应用最广，远远超过双极型晶体管(BJT)。 场效应管，包括最常见的 MOSFET，在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。 运放在今天的应用，也是如火如荼。 比较器、ADC、DAC、电源、仪表、等等离不开运放。 1、场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。 有 N 沟道和 P 沟道两种器件。 有结型场管和绝缘栅型场管 IGFET 之分。 IGFET 又称金属 - 氧化物 - 半导体管 MOSFET。 MOS 场效应管有增强型 EMOS 和耗尽型 DMOS 两大类，每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导电类型。 学习时，可将 MOSFET 和 BJT 比较，就很容易掌握，功率 MOSFET 是一种高输入阻抗、电压控制型器件，BJT 则是一种低阻抗、电流控制型器件。 再比较二者的驱动电路，功率 MOSFET 的驱动电路相对简单。 BJT 可能需要多达 20% 的额定集电极电流以保证饱和度，而 MOSFET 需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由 CMOS 或者集电极开路 TTL 驱动电路驱动。 其次，MOSFET 的开关速度比较迅速，MOSFET 是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应。 其三，MOSFET 没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低。 它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。 此外，MOSFET 具有并行工作能力，具有正的电阻温度系数。 温度较高的器件往往把电流导向其它 MOSFET，允许并行电路配置。 而且，MOSFET 的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管，在电感性负载开关中特别有用。 场管有两种工作模式，即开关模式或线性模式。 所谓开关模式，就是器件充当一个简单的开关，在开与关两个状态之间切换。 线性工作模式是指器件工作 在某个特性曲线中的线性部分，但也未必如此。 此处的“线性”是指 MOSFET 保持连续性的工作状态，此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。 它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是，在开关电路中，MOSFET 的漏电流是由外部元件确定的，而在线性电路设计中却并非如此。 2、运放所传递和处理的信号，包括直流信号、交流信号，以及交、直流叠加在一起的合成信号。 而且该信号是按“比例(有符号+或 -，如：同相比例或反相比例)”进行的。 不一定全是“放大”，某些场合也可能是衰减(如：比例系数或传递函数 K=Vo/Vi=-1/10)。 运放直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入失调电流温漂、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰 - 峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。 交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率 SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。 个人认为，选择运放，可以只侧重考虑三个参数：输入偏置电流、供电电源和单位增益带宽。
一文教你如何快速设计RF电路板一轮蓝牙设备、无绳电话和蜂窝电话需求高潮正促使中国电子工程师越来越关注 RF 电路设计技巧。RF 电路板的设计是最令设计工程师感到头疼的部分，如想一次获得成功，仔细规划和 一文读懂二极管及八大电路保护元器作为一名电子工程师，对于电路不说必须要非常精通，但至少能够看得懂电路，知道电路保护器件的作用，在客户提出防护需求时，及时给出有效且具有实施性的整改意见。电路保护元器件应用 一文读懂电磁干扰这里讲全面讲解有关电磁干扰的存在方式、类型、对设备工作的影响、屏蔽方法、EMC 问题来源、金属屏蔽效率、EMI 抑制策略等等，值得大家学习。电磁干扰（EMI），有传导干扰和辐射干 电子负载-给锂电池放电用的-放电电流700mA请教大佬个问题：我以前用大电流mos管（100A）串联放电电阻给锂电池放电（通过5w的放电电阻，实现800-600mA的放电电流）。之所以选择大功率的mos管主要是避免mos发热。现在想实现恒流放
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