现在用全桥输出拓扑较多
经常看见在每个桥臂的MOS管G极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻
同时和MOS并联的还有一个RCD（电阻+二极管+电容）电路
现在知道这个RCD电路是用于吸收MOS管的突波或者尖峰电压
但是不知道在实际中如何选型RCD器件，以及G极的电阻
现在我的MOS管外接的直流源是50V，全桥输出，前段通过IR2010S来驱动
希望可以从这个实例来指导
谢谢 要看你所用的MOS管和驱动需求 戈卫东发表于2017-8-1110:04
要看你所用的MOS管和驱动需求
管的型号好说，但是驱动要求是什么？ shaorc发表于2017-8-1110:55
管的型号好说，但是驱动要求是什么？
开关速度啊什么的。
如果工作频率是1MHz，微秒级别的延迟就不能接受 戈卫东发表于2017-8-1111:33
开关速度啊什么的。
如果工作频率是1MHz，微秒级别的延迟就不能接受
可否根据这个datasheet图中资料来看呢
看看附件的内容的，你可以baidu中文的信息 Siderlee发表于2017-8-1114:08
看看附件的内容的，你可以baidu中文的信息
先谢谢
电阻的利用要考虑哪些机能参数●电阻 容差：通用场所选用1％精读，当有特别要求好比输出电压精度要求时选用更小的 选择比率：当阻值不是很主要时，好比分压器，以削减电路平分歧阻值种类数量以实现多量量采购节约成 本 最年夜电压：电阻其实也可以被击穿，高压应用时要寄望 温度系数：年夜年夜都电阻都有很小的温度系数（50～250ppm每度），电阻发烧时，线绕电阻的温度
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