●电阻 容差：通用场所选用1％精读，当有特别要求好比输出电压精度要求时选用更小的
选择比率：当阻值不是很主要时，好比分压器，以削减电路平分歧阻值种类数量以实现多量量采购节约成 本
最年夜电压：电阻其实也可以被击穿，高压应用时要寄望
温度系数：年夜年夜都电阻都有很小的温度系数（50～250ppm每度），电阻发烧时，线绕电阻的温度系数会有 较年夜转变
额定功率：一般电阻功耗为额定值一半
脉冲功率：在较短时候内，线绕电阻可以承受弘远于其额定功率的冲击，但非线绕电阻不可
●电容
铝电解电容 年夜容量小体积
钽电容 中等电容量
陶瓷电容 按时与旌旗灯号电路
多层陶瓷电容 低ESR场所
塑胶电容 高dv/dt场所
容差：典型值正负20％，电解电容还要差良多几多
ESR：等效串联电阻，设计年夜容量滤波器时ESR比容量主要
老化：“电源寿命1000h”现实就是对电解电容电容而言，假如把电源放到现实温度前提或者工作几年就要 选择2000h到5000h
●肖特基二极管
常用在整流器中，正领导通电压小，没有反向恢复时候
●整流二极管
反向恢复：二极管正领导通后在很短时候内能够反向流过电流这段时候叫反向恢复时候，这对变换器的效 率很是晦气
但并不是越快越好，会发生快速的电压电流尖锋
●晶体管（BJT）
脉冲电流：一般BJT上不会提到脉冲电流（除非专为电源设计），取额定直流电流的两倍
放年夜倍数：一般假定为10，不管手册数据若何
●晶体管（MOSFET）
功率损耗：导通损耗＋门极充电损耗＋开关导通损
导通损耗：当MOSFET全数导通时漏源极之间存在一个电阻，导通损耗巨细取决于管中电流巨细，而且电阻 随温升增年夜
门极充电损耗：因为MOSFET有一个相昔时夜的等效门极电容引起
开关导通损：在开通或关断转换的任何时辰，晶体管上同时既有电压又有电流发生功率损耗
最年夜门极电压：凡是20V
电阻型号命名体例 分类及首要特征参数等：
导电体对电流的阻碍感化称着电阻，用符号R暗示，单元为欧姆、千欧、兆欧，分袂用Ω、KΩ、MΩ暗示。
一、电阻的型号命名体例：
国产电阻器的型号由四部门组成（不合用敏感电阻）
第一部门：主称 ，用字母暗示，暗示产物的名字。如R暗示电阻，W暗示电位器。
第二部门：材料 ，用字母暗示，暗示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部门：分类，一般用数字暗示，个体类型用字母暗示，暗示产物属于什么类型。1-通俗、2-通俗、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-慎密、7-慎密、8-高压、9-特别、G-高功率、T-可调。
第四部门:序号，用数字暗示，暗示同类产物平分歧品种，以区分产物的外型尺寸和机能指标等
例如：R T 1 1 型通俗碳膜电阻a1}
二、电阻器的分类
1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、慎密线绕电阻器、年夜功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。
2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
三、首要特征参数
1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。
2、承诺误差：标称阻值与现实阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值误差，它暗示电阻器的精度。
承诺误差与精度品级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00）、±2%-0.2(或0）、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级
3、额定功率：在正常的年夜气压力90-106.6KPa及情况温度为－55℃～＋70℃的前提下，电阻器持久工作所承诺耗散的最年夜功率。
线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。
5、最高工作电压：承诺的最年夜持续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。
6、温度系数：温度每转变1℃所引起的电阻值的相对转变。温度系数越小，电阻的不变性越好。阻值随温度升高而增年夜的为正温度系数，反之为负温度系数。
7、老化系数：电阻器在额定功率持久负荷下，阻值相对转变的百分数，它是暗示电阻器寿命长短的参数。
8、电压系数：在划定的电压规模内，电压每转变1伏，电阻器的相对转变量。
9、噪声：发生于电阻器中的一种犯警则的电压升沉，包罗热噪声和电流噪声两部门，热噪声是因为导体内部犯警则的电子自由活动，使导体肆意两点的电压犯警则转变。
四、电阻器阻值标示体例
1、直标法：用数字和单元符号在电阻器概况标出阻值，其承诺误差直接用百分数暗示，若电阻上未注误差，则均为±20%。
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有纪律的组合来暗示标称阻值，其承诺误差也用文字符号暗示。符号前面的数字暗示整数阻值，后面的数字依次暗示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
暗示承诺误差的文字符号
文字符号 D F G J K M
承诺误差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%
3、数码法：在电阻器上用三位数码暗示标称值的标识表记标帜体例。数码从左到右，第一、二位为有用值，第三位为指数，即零的个数，单元为欧。误差凡是采用文字符号暗示。
4、色标法：用分歧颜色的带或点在电阻器概况标出标称阻值和承诺误差。国外电阻年夜部门采用色标法。
黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20%
当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有用数字， 第三位为乘方数，第四位为误差。 当电阻为五环时，最后一环与前面四环距离较年夜。前三位为有用数字， 第四位为乘方数， 第五位为误差。
五、常用电阻器
1、电位器
电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成必然关系的输出电压。
1.1 合成碳膜电位器
电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体概况而成，该工艺简单， 是今朝应用最普遍的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。错误谬误是电流噪声，非线性年夜， 耐潮性以及阻值不变性差。
1.2 有机实心电位器
有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的体例，将有机电阻粉压在尽缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器比拟具有耐热性好、功率年夜、靠得住性高、耐磨性好的长处。但温度系数年夜、动噪声年夜、耐潮机能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高靠得住、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路顶用作调节电压、电流。
1.3 金属玻璃铀电位器
用丝网印刷法按照必然图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值规模宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的电位器品种，错误谬误是接触电阻和电流噪声年夜。
1.4 绕线电位器
绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在尽缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其错误谬误是分辩力差，阻值偏低，高频特征差。首要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
1.5 金属膜电位器
金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分袂组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、滑腻性好。
1.6 导电塑料电位器
用特别工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在尽缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在尽缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：滑腻性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、靠得住性极高、耐化学侵蚀。用于宇宙装配、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。
1.7 带开关的电位器
有扭转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器
1.8 预调式电位器
预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。
1.9 直滑式电位器
采用直滑体例改变电阻值。
1.10 双连电位器
有异轴双连电位器和同轴双连电位器
1.11 无触点电位器
无触点电位器消弭了机械接触，寿命长、靠得住性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。
2、实芯碳质电阻器
用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂同化制成一个实体的电阻器。
特点：价钱低廉，但其阻值误差、噪声电压都年夜，不变性差，今朝较少用。
3、绕线电阻器
用高阻合金线绕在尽缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉尽缘层或尽缘漆。
绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 不变性好，耐热耐侵蚀，首要做慎密年夜功率电阻利用，错误谬误是高频机能差，时候常数年夜。
4、薄膜电阻器
用蒸发的体例将必然电阻率材料蒸镀于尽缘材料概况制成。首要如下：
4.1 碳膜电阻器
将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、机能不变、阻值规模宽、温度系数和电压系数低，是今朝应用最普遍的电阻器。
4.2 金属膜电阻器。
用真空蒸发的体例将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架概况。
金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，不变性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通信设备中年夜量采用。
4.3 金属氧化膜电阻器
在尽缘棒上沉积一层金属氧化物。因为其自己即是氧化物，所以高温下不变，耐热冲击，负载能力强。
4.4 合成膜电阻
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，是以也叫漆膜电阻。
因为其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声年夜，精度低，首要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。
5、金属玻璃铀电阻器
将金属粉和玻璃铀粉同化，采用丝网印刷法印在基板上。
耐潮湿， 高温， 温度系数小，首要应用于厚膜电路。
6、贴片电阻SMT
片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高靠得住的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，不变性好，因为其为片状元件，所以高频机能好。
●电容
电容是电子设备中年夜量利用的电子元件之一，普遍应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，节制电路等方面。用C暗示电容，电容单元有法拉（F）、微法拉（uF)、皮法拉（pF),1F=10^6uF=10^12pF
一、电容器的型号命名体例
国产电容器的型号一般由四部门组成（不合用于压敏、可变、真空电容器）。依次分袂代表名称、材料、分类和序号。
第一部门：名称，用字母暗示，电容器用C。
第二部门：材料，用字母暗示。
第三部门：分类，一般用数字暗示，个体用字母暗示。
第四部门：序号，用数字暗示。
用字母暗示产物的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
二、电容器的分类
1、按照结构分三年夜类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。
2、按电 解质 分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介
质电容器等。
3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型
●电容器。
4、高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容
器。
5、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。
6、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。
7、调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。
8、高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。
9、低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容
器。
10、小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电 容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。
三、常用电容器
1、铝电解电容器
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中心卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单领导电性质,所以电解电容器具有极性.容量年夜，能耐受年夜的脉动电流，容量误差年夜，泄露电流年夜；通俗的不适于在高频和低温下应用,不宜利用在25kHz以上频率低频旁路、旌旗灯号耦合、电源滤波。
电容量：0.47～10000u
额定电压：6.3～450V
首要特点：体积小，容量年夜，损耗年夜，漏电年夜
应用：电源滤波，低频耦合，往耦，旁路等
2、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）
用烧结的钽块作正极,电解质利用固体二氧化锰温度特征、频率特征和靠得住性均优于通俗电解电容器，出格是漏电流极小，贮存性精采，寿命长，容量误差小，而且体积小，单元体积下能获得最年夜的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状况超小型高靠得住机件中。
电容量：0.1～1000u
额定电压：6.3～125V
首要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中取代铝电解电容
3、薄膜电容器
结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特征好，介电损耗小不能做成年夜的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、按时电路。
a 聚酯（涤纶）电容（CL）
电容量：40p～4u
额定电压：63～630V
首要特点：小体积，年夜容量，耐热耐湿，不变性差
应用：对不变性和损耗要求不高的低频电路
b 聚苯乙烯电容（CB）
电容量：10p～1u
额定电压：100V～30KV
首要特点：不变，低损耗，体积较年夜
应用：对不变性和损耗要求较高的电路
c 聚丙烯电容（CBB）
电容量：1000p～10u
额定电压：63～2000V
首要特点：机能与聚苯相似但体积小，不变性略差
应用：取代年夜部门聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
4、瓷介电容器
穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特征好，介电损耗小，有温度抵偿感化不能做成年夜的容量，受振动会引起容量转变出格适于高频旁路。
a 高频瓷介电容（CC）
电容量：1～6800p
额定电压：63～500V
首要特点：高频损耗小，不变性好
应用：高频电路
b 低频瓷介电容（CT）
电容量：10p～4.7u
额定电压：50V～100V
首要特点：体积小，价廉，损耗年夜，不变性差
应用：要求不高的低频电路
5、独石电容器
(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不成朋分的整体，外面再用树脂包封而成小体积、年夜容量、高靠得住和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有不变的机能，体积极小，Q值高容量误差较年夜噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。
容量规模：0.5PF～1UF
耐压：二倍额定电压。
电容量年夜、体积小、靠得住性高、电容量不变，耐高温耐湿性好等。
应用规模：普遍应用于电子慎密仪器。各类小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
6、纸质电容器
一般是用两条铝箔作为电极，中心以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸离隔重叠卷绕而成。制造工艺简单，价钱廉价，能获得较年夜的电容量
一般在低频电路内，凡是不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比通俗纸质电容器高，不变性也好，合用于高压电路。
7、微调电容器
电容量可在某一小规模内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，凡是可分为圆管式及圆片式两种。 云母和聚苯乙烯介质的凡是都采用弹簧式东，结构简单，但不变性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变更电容量的，故容量只能变小，不适合在需频频调试的场所利用。
a 空气介质可变电容器
可变电容量：100～1500p
首要特点：损耗小，效率高；可按照要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
b 薄膜介质可变电容器
可变电容量：15～550p
首要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的年夜
应用：通信，广播领受机等
c 薄膜介质微调电容器
可变电容量：1～29p
首要特点：损耗较年夜，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路抵偿
d 陶瓷介质微调电容器
可变电容量：0.3～22p
首要特点：损耗较小，体积较小
应用：慎密调谐的高频振荡回路
8、陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高不变振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对不变性和损耗要求不高的场所〈包罗高频在内〉。这种电容器不宜利用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器合用于高频电路。
9、玻璃釉电容器（CI）
由一种浓度适于喷涂的特别同化物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构机能可与云母电容器媲美，能耐受各类气候情况，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008
电容量：10p～0.1u
额定电压：63～400V
首要特点：不变性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
四、电容器首要特征参数
1、标称电容量和承诺误差
标称电容量是标识表记标帜在电容器上的电容量。
电容器现实电容量与标称电容量的误差称误差，在承诺的误差规模称精度。
精度品级与承诺误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，按照用途拔取。
2、额定电压
在最低情况温度和额定情况温度下可持续加在电容器的最高直流电压有用值，一般直接标注在电容器外壳上，假如工作电压跨越电容器的耐压，电容器击穿，造成不成修复的永远损坏。
3、尽缘电阻
直流电压加在电容上，并发生漏电电流，两者之比称为尽缘电阻.
当电容较小时，首要取决于电容的概况状况，容量〉0.1uf时，首要取决于介质的机能，尽缘电阻越年夜越好。
电容的时候常数：为适当的评价年夜容量电容的尽缘情况而引进了时候常数，他即是电容的尽缘电阻与容量的乘积。
4、损耗
电容在电场感化下，在单元时候内因发烧所耗损的能量叫做损耗。各类电容都划定了其在某频率规模内的损耗承诺值，电容的损耗首要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部门的电阻所引起的。
在直流电场的感化下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的感化下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化成立过程有关。
5、频率特征
跟着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的纪律。
五、电容器容量标示
1、直标法
用数字和单元符号直接标出。如01uF暗示0.01微法，有些电容用“R”暗示小数点，如R56暗示0.56微法。
2、文字符号法
用数字和文字符号有纪律的组合来暗示容量。如p10暗示0.1pF,1p0暗示1pF,6P8暗示6.8pF, 2u2暗示2.2uF.
3、色标法
用色环或色点暗示电容器的首要参数。电容器的色标法与电阻不异。
电容器误差标识表记标帜符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
二极管的首要参数
无论是设计开辟，仍是维修维护，都要与二极管打交道。而二极管作为一种分立元件，在日常糊口中是极为常见的。而利用起来却并不那么简单，需要知道一些它的特征参数。具体有下面几种：
1. 最年夜整流电流 IF。指二极管持久运行时承诺经由过程的最年夜正向平均电流。该值与 PN 结的结面积和二极管工作时的散热前提有关。在现实应用中，假如二极管的正向工作电流越过该值，而且没有加额外的散热法子的话，则会烧坏二极管。
2. 最年夜反向工作电压 UR。指二极管在工作时承诺所承诺加的最年夜反向电压。跨越此值就有可能将二极管击穿。凡是取反向击穿电压的一半作为UR。
3. 反向电流 IR。指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的单领导电性越好。此值与温度有慎密亲密关系，在高温运行时要出格寄望。
4. 最高工作频率 fM。首要受到 PN 结的结电容限制。跨越此值，二极管的单领导电性将受到影响。
三极管的参数反映了三极管各类机能的指标，是分析三极管电路和选用三极管的依据。
一、电流放年夜系数
1．共发射极电流放年夜系数
（1）共发射极直流电流放年夜系数 ，它暗示三极管在共射极毗连时，某工作点处直流电流IC与IB的比值，当忽略ICBO时
（2）共发射极交流电流放年夜系数β它暗示三极管共射极毗连、且UCE恒按时，集电极电流转变量ΔIC与基极电流转变量ΔIB之比，即
管子的β值巨细时，放年夜感化差；β值太年夜时，工作机能不不变。是以，一般选用β为30～80的管子。
2．共基极电流放年夜系数
共基极直流电流放年夜系数它暗示三极管在共基极毗连时，某工作点处IC 与 IE的比值。在忽略ICBO的情况下
（2）共基极交流电流放年夜系数α，它暗示三极管作共基极毗连时，在UCB 恒定的情况下，IC和IE的转变量之比，即：
凡是在ICBO很小时， 与β， 与α相差很小，是以，现实利用中经常混用而不加区别。
二、极间反向电流
1．集-基反向饱和电流ICBO
ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上必然的反向电压时，所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在必然温度下，ICBO 是一个常量。跟着温度的升高ICBO将增年夜，它是三极管工作不不变的首要身分。在不异情况温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。
2．穿透电流ICEO
ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加必然反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为：
ICEO = ICBO＋ ICBO＝（1＋ ）ICBO GS0125
该电流好象从集电极纵贯发射极一样，故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样，也是权衡三极管热不变性的主要参数。
三、频率参数
频率参数是反映三极管电流放年夜能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率合用规模。
1．共射极截止频率fβ
三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，可是跟着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段βO1／ 倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ暗示。
2．特征频率fT
当三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率，称为特征频率。在fβ～fT的规模内，β值与f几乎成线性关系，f越高，β越小，当工作频率f＞fT，时，三极管便失踪往了放年夜能力。
四、极限参数
1．最年夜承诺集电极耗散功率PCM
PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的转变不跨越所划定的承诺值时，集电极耗散的最年夜功率。当现实功耗Pc年夜于PCM时，不仅使管子的参数发生转变，甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计较：
PCM ＝ICUCE GS0126
当已知管子的PCM 时，操纵上式可以在输出特征曲线上画出PCM 曲线。
2．最年夜承诺集电极电流ICM
当IC很年夜时，β值逐渐下降。一般划定在β值下降到额定值的2／3（或1／2）时所对应的集电极电流为ICM当IC＞ICM时，β值已减小到不适用的水平，且有销毁管子的可能。
3．反向击穿电压BVCEO与BVCEO
BVCEO是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。
BVCBO是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下统一管子的
BVCEO（0.5～0.8）BVCBO 。三极管的反向工作电压应小于击穿电压的（1／2～1／3），以保证管子平安靠得住地工作。
三极管的3个极限参数PCM 、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线 、截止线所包抄的区域，即是三极管平安工作的线性放年夜区。一般作放年夜用的三极管，均须工作于此区。
请叫一个电容与电阻并联时的问题请看图：
总电压应该是直流与交流的叠加，叠加后的电压应该也是一个交流，
因为C1与R1是并联的，那么C1和R1两端的电压也都是总的电压，也
就是两个电源的叠加交流电压，那么C1和R1的 [开关电源]电源冷知识+零欧姆电阻本帖最后由LED2013于2017-7-2120:43编辑
对于一个初次搞电源的人来说，对于0欧姆电阻大概都不懂的，觉得没啥用的巨多吧，但是还真有一些地方会用到哦，这也算是一个冷知识了。
可能 求助这几个电阻是干嘛用的？请问这几个电阻是干嘛用的，是电桥平衡吗？还是其他作用
给图上那些安规电容放电用的。
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