1.直流参数
（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即： β1=Ic/Ib
2、交流参数
（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即： β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。
（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用 α与β之间的关系：α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α）
两岸光电LED贴片市场产值预估 深圳两岸光电科技有限公司是一家专业生产LED贴片的，公司成立六年来一直专注于LED贴片的发展引进了多位在LED行业里经验丰富的工程师，为整个公司的产品质量打下了良 贴片电容的简介 贴片电容 全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文缩写：MLCC。 贴片电容(单片陶瓷电容器) 是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有 贴片电感使用过程中须知的六大点 贴片电感可以应用在射频（RF）和无线通讯，信息技术设备，雷达检波器，汽车电子，寻呼机，音频设备等。主要优点在于具有较高Q值，低阻抗之特点，并且可提供编带包装，便于自动化装配。下面我们 [逆变器]MOS管驱动波形和导通波形不对 ，还有尖峰到驱动波形Vgs关闭的时候Vds仍然导通导致，没有死区时间下面是波形我母线通电30V电压来测试的
CH1是Vgs导通波形CH2是Vds波形中间有一段VGS下降了MOS管还导通
这是测两个低
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