半导体二极管参数符号及其意义（一）

CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 暗示在二极管两头加划定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容转变
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，不变电压的相对转变与情况温度的尽对转变之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在划定的正向电压VF下，经由过程极间的电流；硅整流管、硅堆在划定的利用前提下，在正弦半波中承诺持续经由过程的最年夜工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下承诺经由过程的最年夜正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最年夜电流）。在额定功率下，承诺经由过程二极管的最年夜正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向频频峰值电流
IFSM---正向不频频峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中划定频率和划定电压前提下所经由过程的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射山顶颠峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最年夜输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管节制极触发电流
IGD---晶闸管节制极不触发电流
IGFM---节制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特征时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压划定值时，所经由过程的电流；硅开关二极管两头加反向工作电压VR时所经由过程的电流；稳压二极管在反向电压下，发生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向频频平均电流
IDR---晶闸管断态平均频频电流
IRRM---反向频频峰值电流
IRSM---反向不频频峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---不变电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最年夜正向（整流）电流。在划定前提下，能承受的正向最年夜瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中承诺持续经由过程锗检波二极管的最年夜工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最年夜稳压电流。在最年夜耗散功率下稳压二极管承诺经由过程的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管不变电流
f---频率
n---电容转变指数；电容比
Q---优值（品质身分）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲销毁功率
PFT（AV）---正领导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正领导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门山顶颠峰值功率
PC---节制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输进功率
PK---最年夜开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最年夜功率
PMP---最年夜漏过脉冲功率
PMS---最年夜承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最年夜输出功率
Psc---持续输出功率
PSM---不频频浪涌功率