| 一直认为反激的RCD二极管用慢管比快管更能消除MOSFET尖峰，事实也确实如此。但一直想不明白为什么，谁能说说
同问
可能跟你的开关速度关联吧！
慢管减少开关管振荡，同而减小峰值
那是因為二極體的Qrr, 不是Trr喔, Qrr在二極體關斷時, 慢管會拉的很深, 相對一些峰值當然會被吸收
可是........
因為Qrr越大, 二極體關斷損失也最大(Ir*Vpek), 所以慢管很容易發熱, 一般除了EMI關係, 要不RDC的C加大或R變小效果一樣
熱在電組總比熱在二極體好多了.....
Qrr若不知, 上Cree網站, 碳化硅二極體強調的就是這一點............
太高深了，不明白。只知道QRR是反向恢复电荷，其他的对这个问题有用的东西什么都查不到。 对于 QRR在二极体关断时，慢管会拉的很深 这一句，不明白QRR拉得深这对尖峰的吸收有什么关系，此外，二极管不是在导通时才吸收尖峰吗，怎么说是在二极体关断时呢。望版主指点迷津，多谢
簡單的道理, 當電容充飽電荷, 如果沒有很快速將電荷放掉, 那電容的吸收就打折, 越大的電容可吸收越大,可是放電時間越長
將放電電阻變小可以讓電容快速放電, 可是消耗功率越大,如圖
由於一般二極體關斷時間在電壓與電流單位時間內, 依然有很大能量, 形同對電容迅速放電, 當然電容吸收能力會越強......
是不是这个意思？慢管需要存储更多的电荷才能导通，因此他比快管更能吸收尖峰。而导通期间主要是把二极体存储的电荷释放给电容（一些低频的能量也在此期间被吸收掉），因此调整RCD的电容或者电阻（阻值一般都很大）对尖峰吸收并无多大影响。
不是, 應該說: 慢管的反應速度不夠快,在充電時間一樣(因為二極體順向) 但是關斷速度太慢, 形同在放電時間對電容加速放電, 讓電容有更好的吸收能力....
是不是这样？慢管和快管正向恢复时间一样，反向恢复时间不一样。开关管导通时，RCD二极管关断，但由于慢管存在反向恢复时间（或者说反向恢复时间比快管长），会有反向恢复电荷从RCD电容经二极管、开关管放电，因此当下个周期开关管关断时，电容能吸收更多尖峰。
是......
剛剛無意間看了一個精華帖有提到慢管的問題,不予評論, 不過要提醒你, 多組輸出或高漏感的場合(Gap磨比較深, 低感量怕飽和)以及高操作頻率(100KHz以上)等這些條件下,儘量不要使用慢管, 雖然有助於EMI, 但這些應用本身的峰值就很高, 用慢管會有相當溫度, 絕大部分工程師都不知道亂用, 也不知道二極體有一個順向轉折點在50度C到75度C之間(SPEC有曲線圖), 當溫度超過這個轉折點時, 順向電流將開始往下降, 逆向電流會開始往上升
以一顆1A快速二極體為例, 在轉折前為1A, 開始轉折後隨溫度上升而下降, 到達100度C時容許電流約為0.6A, 逆電流為轉折的2倍, 若慢管更嚴重
因此長期工作很容易因熱跑脫而崩潰....
受益匪浅啊！只是还想请教个问题，为什么调整RCD的电容或者电阻对尖峰的吸收作用不大呢
R與C只是在做充電與放電兩個參數調整, 就跟蹺蹺板板一樣, 容值越大吸收大, 但是放電慢, 當放電慢吸收又弱, 所以RC值只在操作頻率上剛好調整到
吸收與放電一致, 其他調整變化就不是很大, 除非用很大電容與很小電阻, 讓充電與放電同時到極限, 但此時又會有熱的問題, 且效率相對很差, 就看你怎取捨.....
高手！
LLC功率管开关损耗如何计算？LLC拓扑中的MOS，其关断损耗如何大致计算？谢谢已知条件：频率f=100K，输入400V，谐振腔电流有效值6A，所用管子tf为30ns。计算关断电流， 之后利用V*I关系，这个和其他电路一样计算就可以了
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