我设计55kW变频器，用的英飞凌FF200R12KT4模块，在IGBT模块上加放电阻止型RCD吸收电路，电容0.68uF，二极管为快速软关断BYW96E，电阻10R，但是电阻发热厉害：电阻功率40W时，电力80A时，电阻温度达到76度。我把电阻加到100W，仍然发热比较厉害，烫手。请问如何解决啊？？？
因为结构问题，虽然用了层叠母线，但是我的变频器杂散电感比较大，这个结构已经很难改变了，但是问题是如何在现有条件下吸收，并且电阻不能发热太厉害。
尖峰超过IGBT的耐压值吗？
不加RCD吸收电路时，经常炸IGBT模块，所以才加了RCD吸收电路，加上之后就不炸IGBT模块了，但是电阻发热太厉害
这种吸收电阻不能增大阻值？阻值增大，自身功耗就降低了。
反激MOS吸收可以调阻值的，IGBT的吸收是一样的道理吧
可以增大阻值，但是阻值也不能无限制的增大的，都加到100W了，难道还要再增加吗？增加了之后损耗是不是也太大了啊
r=1/（6*c*f） C太大了，R取的太小，额外增加电阻上的发热
你是根据经验去的RC的值？ 有没有结合你实际电路来大体计算一下C和R的取值多少比较合适？
如果计算值是这样，只能再通过优化电路来想办法了。
分享个文档，可以参考里面的计算公式大致计算一下。另外RC取值互相兼顾一下，让R上的损耗降低一些也许有点改善，再就是从L上想办法。
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2017-7-14 10:25 上传
那电解电容的工作寿命也不会很长了吧。温度对电解电容影响很大。
RC之间是相互影响的，你看文档里有推导公式，可以先大致确定C,然后确定R
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2017-7-14 10:35 上传
300 uH 8A 降低成本 性能不变 求解300 uH 10A降低成本性能不变求解CORET30*15*10(非晶）动态值L(S-F)260uH MIN1KHZ 0.25V 10Aat 25±3℃TH1773，TH2816AL(S-F)200uH MIN1KHZ 0.25V 15Aat 25±3℃热态电感L(S-F)2
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