效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）开始批量生产 EASY 1B——英飞凌在 2016 年 PCIM 上推出的首款全碳化硅模块。 在纽伦堡 2017 年 PCIM 展会上，英飞凌展出了 1200 V CoolSiC™ MOSFET 产品系列的其他模块平台和拓扑。 如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。
英飞凌工业功率控制事业部总裁 Peter Wawer 博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它已可用于不同应用。 不过，为了让这一新的半导体技术成为可以依靠的革命性技术，需要英飞凌这样的合作伙伴。 针对应用量身定制产品、我们的生产能力、对技术组合和系统的全面了解：这四大优势使我们成为功率半导体市场的领导者。 依托英飞凌碳化硅产品组合，我们希望并且能够达成这一目标。 ”
全新 1200 V 碳化硅 MOSFET 已进行优化，同时具备高可靠性与性能优势。 其动态功率损耗要比 1200V 硅（Si）IGBT 低一个数量级。 首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源（UPS）和充电 / 储电系统等应用。 不久的将来推出的新型号，也将为打造适用于工业变频器、医疗设备或铁路设备辅助电源的革命性解决方案创造条件。
1200 V SiC MOSEFT 采用的沟槽栅技术的一大优势在于持久的坚固耐用性。 这是由于其具备较低的工作时间失效（FIT）率和有效的短路能力，可适应不同的应用。 得益于 4 V 的阈值电压（Vth）和+15 V 的推荐接通阈值（VGS）），这些晶体管能像 IGBT 一样得到控制，在发生故障时得以安全关闭。 碳化硅 MOSFET 可以实现高速开关，另外，英飞凌碳化硅 MOSFET 技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度，因此，可以轻松优化 EMC 性能。
早在去年，英飞凌就已推出主导产品 EASY 1B（半桥 /Booster）以及分立器件 TO-247-3pin 和 TO-247-4pin 产品。 EASY 1B 平台十分成熟，是实现快速开关器件的理想模块平台。 在今年的 PCIM 展会上，英飞凌将展出基于 1200 V SiC MOSFET 技术的其他模块平台和拓扑。 它们将逐步扩大 CoolSiC MOSFET 的性能范围。 英飞凌展出的碳化硅模块包括：
·采用 B6（Six-Pack）拓扑的 EASY 1B：该模块的特点是成熟的英飞凌模块配置，导通电阻（RDS(ON)）仅 45 mΩ。 集成的体二极管确保低损耗续流功能。 该 EASY 1B 适用于传动、太阳能或焊接技术领域的应用。
·采用半桥拓扑的 EASY 2B：这个较大的 EASY 器件，其性能增强，每个开关的 RDS(ON)为 8 mΩ。 低电感模块概念是功率超过 50 kW 和快速开关应用的理想选择，比如太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案等。
·采用半桥拓扑的 62 mm：附加的半桥配置，具备更大功率，每个开关功能的 RDS(ON)为 6 mΩ。 该模块平台为中等功率范围系统实现低电感连接创造了条件。 这一特性适合诸多应用，包括医疗设备或铁路设备的辅助电源等。 由于有大量潜在应用，英飞凌预计该模块将迅速普及。
供货
在 2016 年 PCIM 上推出的旗舰产品 EASY 1B 和两个分立器件 TO-247-3pin 和 TO-247-4pin，今年将逐步开始批量生产。 EASY 1B 半桥配置现已开始供货。 为支持其市场发布，英飞凌同步推出了多种驱动模块和演示板，这些模块和演示板也从现在起开始供货。 新产品型号已开始提供样片，计划于 2018 年开始批量生产。
发光贴片二极管是最简单的一种半导体设备 发光贴片二极管是最简单的一种半导体设备发光二极管通常称为LED，它们虽然名不见经传，却是电子世界中真正的英雄。它们能完成数十种不同的工作，并且在各种设备中都能找到它们的
|
