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求助::SIC-MOS驱动波形米勒处下冲,Vds波形异常

时间:2021-09-28 08:26:36  来源:  浏览量:
采用半桥拓扑进行测试,输入电压16V,Vgs+=15V,Vgs-=-3V,Rgon=2.5Ω,Rgoff=17.5Ω。
Vgs及Vds波形如下图所示,黄色Vgs,蓝色Vds。
电路拓扑如下所示。
SICMOS技术手册

Vgs米勒处下跌严重,输入电压升高,下跌严重。是不是驱动电流不够。

不是这个原因  这个很确定

这种管子也用。唉!!!!! 看看,ST、Infineon、Cree、Rohm。。。这些一线品牌的SiC产品,谁还用这个结构! 这种N型MOSFET结构,尤其容易振荡!!!!! 现在只有过冲,真的很走运和PCB设计的还可以啦!赶紧换元件吧!过渡产品,不久会消失;国产的都比它强。

您的意思这款是过渡产品??还有可以优化解决的方案或者措施吗??希望大师支招 ROHM的SICMOS我们确实测试通过了,layout的应该还可以。

是的,三年前已经开始淘汰的产品。这种管子结构决定了自耦性。现在;一线厂家已经不再做这种结构产品。 以前;因工艺问题,利用压电效应做的长通器件,不得以;利用低压Si-MOSFET做阻断。现在;工艺问题已经解决多年。

好的  谢谢  版主 卖家说他家的这款Cascode管子Vgs电压范围宽   其反并联二极管导通压降低   我们现在在用的ROHM的SICMOS且外并了SIC二极管    想拿这款Cascode产品做替代 发现驱动好难做   不知道是否有优化解决方案

SiCMOSFET本身寄生有标准SiC二极管,压降大约3V。同步方式工作时;无需外并SiC肖特基。 他家的SiCMOSFET利用常通态完成同步方式工作。看似简单却稳定度不是很高。

您好  我们现在用的是罗姆的SCT2080kE 这颗料   其体二极管 压降4.6V   稍微有点大 之所以 我们反并联二极管  还有助于改善SICMOS的驱动   半桥互补管关断时 会在自身驱动波形上引起下尖  并联SIC二极管会使下尖减小(原因现在我们分析不清楚) 如下图所示

QQ图片20170712143306.jpg (344.53 KB, 下载次数: 59)

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2017-7-12 14:58 上传


不用并。 首先;这个尖仅-5V,根本没有达到危险程度。 其次。按你的波形,正向脉冲近20V;反向脉冲-5V,反向更安全于正向。对这样的负脉冲;没有余度概念。 换句话说;要通过你施加的gs电压弄坏器件,只有正脉冲波有可能。

谢谢 满负载时 我们的Vgs负压最大值  已达到-10.5V    而SICMOS——SCT2080ke 手册给出的负压最大值为-10V   这个已超出 技术手册要求  应该也有安全隐患吧?? 难道负压超限不能致使MOS损坏??

虽然不会坏,但已经越线了。建议修改下驱动。 一般;SiC栅耐压是+20V/-10V,所以;推荐用+12~15V/0~-5V驱动。出现尖刺时;建议加大栅电阻,以满足标准。

更改驱动参数  没效果 管子关断时  桥臂中点输出端的负载电流决定了Cds的充放电速率  从而通过米勒效应  影响Vgs   修改栅极电阻 对Vgs负压最大值 无改善 我们试验过

增加栅驱动电阻,一定会有效果的。 另外;将上管驱动;接S极线挪至下管漏极,可以改善负压。

谢谢 版主 驱动电阻我们确实更改过 效果不明显 您的意思 为改善负压  可以把上管的S级回线挪至下管的d极?? 我想问的是,这样回路岂不是人为的增大了,且增加了杂散电感?  我们现在是双管的并联  驱动回线不一样长  会有影响吧??

负压就是寄生电感引起的。会避开后就会缓解。至于少许的偏差并不会严重影响均流。

您现在说的寄生电感指的是 MOS的S极引脚上的??所谓的避开寄生电感指的是哪部分电感??

请问楼主找到Vgs负压过冲的原因了吗?我现在也遇到这个问题了。

若是是540的话还是可以用的,关键你的驱动有问题,负波,是因为你 的信号地不是真正的信号地,那只是VGS的波形,想用这个管子,你改一下驱动也可以,

不是用的540   用的是SICMOS——UJC1210    仿真图只是个示意图      驱动负压关断应该是没问题吧  

我也有50颗这管子的样品,还好没测试,赞,做技术没必要自找麻烦。还是版主厉害,经验丰富,技术高

您这边也有 UJC1210K   SICMOS??  以前有相关设计案例麽?

没有,别人来推广,说怎么怎么好,送的样品

是同一款吗? 一下 送了50颗 SICMOS  这颗料 据说 也不便宜啊

捞出来看了下,同款,一模一样。当初说的好像是三十多块钱一颗

没这么便宜  这也是SIC材料 耐压1200V的   应该不是这个价

每个企业的价格差异超乎想像。相差4倍都不意外。

我擦 4倍 也太坑了吧

体二极没起作用?测量问题?

不是测量问题  差分  普通探针  都试过了   测试结果一致    为啥 Vds下降为负压 时  没打通体二极管  这个问题 我也想不明白  

你用表测一下,有没有二极管

实际测量 有二极管 ! 没钳位 原因在哪?

感觉是测量问题,外并二极管试试。

反并联二极管 有改善 Vds下冲值 会减小  然而成本却增加了 可能这颗料的 寄生参数  影响  确实不容易调试

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