在手机设计中两个最耗电的部分就是基带处理器和射频前端。功率放大器(PA)消耗了射频前端中的绝大部分功率。实现低功耗的关键是使射频前端中的其他电路消耗尽可能少的功耗且不影响PA的工作。在目前所用的选择中，带解码器的GaAs开关吸纳的电流为600μA，但在典型的射频前端应用中，UltraCMOS SP7T开关只吸纳10μA的电流，因此，可以大幅降低射频前端的功耗，从而提高射频功率放大器的效率。 目前，采用CMOS工艺制造射频功率放大器的公司包括：英飞凌、飞思卡尔、Silicon Labs、Peregrine、Jazz半导体等公司。 利用InGaP工艺，实现功率放大器的低功耗和高效率 InGaP HBT(异结双极晶体管)技术的很多优点让它非常适合高频应用。InGaP HBT采用GaAs制成，而GaAs是RF领域用于制造RF IC的最常用的底层材料。原因在于：1. GaAs的电子迁移率比作为CMOS衬底材料的硅要高大约6倍;2. GaAs衬底是半绝缘的，而CMOS中的衬底则是传导性的。电子活迁移率越高，器件的工作频率越高。 半绝缘的GaAs衬底可以使IC上实现更好的信号绝缘，并采用损耗更低的无源元件。而如果衬底是传导性的话，就无法实现这一优势。在CMOS中，由于衬底具有较高的传导性，很难构建起功能型微波电路元件，例如高Q电感器和低损耗传导线等。这些困难虽然可以在一定程度上得到克服，但必须通过在IC装配中采用各种非标准的制程来能实现，而这会增加CMOS设备的制造成本。 nGaP特别适合要求相当高功率输出的高频应用。InGaP工艺的改进让产量得到了提高，并带来了更高程度的集成，使芯片可以集成更多功能。这样既简化了系统设计，降低了原材料成本，也节省了板空间。有些InGaP PA也采用包含了CMOS控制电路的多芯片封装。如今，在接收端集成了PA和低噪音放大器(LNA)并结合了RF开关的前端WLAN模块已经可以采用精简型封装。例如，ANADIGICS公司提出的InGaP-Plus工艺可以在同一个InGaP芯片上集成双极晶体管和场效应晶体管。这一技术正被用于尺寸和PAE(功率增加效率)有所改进的新型CDMA和WCDMA功率放大器。
[开关电源]LM2576功耗如何计算如题，项目中用了一个LM2576强48V转换为12V，不清楚功耗如何计算。
假设负载电流1A，按照datasheet里边的算法，PD=VIN*IQ+(VO/VIN)*ILOAD*VSAT，其中，IQmA级，可忽略，VSAT为1V左右，可忽略 如何消除射频电路中的自激振荡？最近在制作2015年全国电子设计大赛D题的射频宽带放大器，在前级放大电路中选用了芯片ABA52563，电路板制作完成后发现产生了几百兆的很稳定的自激振荡，怎么也消除不了，请问有哪位 用作D类功率放大器电路
你用 iPhone 吗？你用 Android 吗？你的手机里有电子设计用的软件吗？在 http://www.rouxingban.com/贴片绕线电感APP Store 或者安卓市场，搜索 D [开关电源]求开关电源方案！！各位大侠！谁有用过DC24-60V输入，DC12/1.3A输出的隔离开关电源方案！急急急！！！DC24-60V输入，DC12V/1.3A要求并不高.一个反激电源就能搞定.airwill发表于2017-7-508:44
DC24-60V输入，DC
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