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二极管 三极管 MOS器件根本道理

时间:2014-03-29 03:03:40  来源:  浏览量:
电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压 降很小。绝大局部 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。因为 VBE 很小,以是基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 假如晶体管的共发射极电放逐大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,假如在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将呈现一个响应的交变电流ic,有c/ib=β,完成了双极晶体管的电放逐鸿文用。

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