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二极管 三极管 MOS器件根本道理

时间:2014-03-29 03:03:40  来源:  浏览量:
半导体和 n 型半导体构成的 p-n 结,在其界面处两侧构成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,因为 p-n 结双方载流子浓度差惹起的分散电流和自建电场惹起的漂移电流相称而处于电均衡形态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的相互抑消感化使载流子的分散电流增长惹起了正向电流:

  当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步增强,构成在肯定反向电压范畴内与反向偏置电压值有关的反向饱和电流 I0 。 当外加的反向电压高到肯定水平时, p-n 结空间电荷层中的电场强度到达临界值孕育发生载流子的倍增历程,孕育发生少量电子空穴对,孕育发生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿征象。

  双极结型三极管相称于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,此中大局部空穴可以抵达集电结的边境,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的感化下抵达集电区,构成集电极电流 IC 。 在共发射极晶体管

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