<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" /> 一、晶体管根本 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空***从发射极注进基区，其中年夜部门空***能够达到集电结的鸿沟，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的感化下达到集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。尽年夜部门 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。因为 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 假如晶体管的共发射极电流放年夜系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，假如在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将呈现一个响应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放年夜感化。
金属氧化物半导体场效应三极管的根基工作事理是靠半导体概况的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增年夜时， p 型半导体概况的年夜都载流子棗空***逐渐削减、耗尽，而电子逐渐堆集到反型。当概况达到反型时，电子堆集层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较年夜的电流 IDS 流过。使半导体概况达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取分歧数值时，反型层的导电能力将改变，在不异的 VDS 下也将发生分歧的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的节制。 二、晶体管的命名体例 晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）暗示，二极管以D暗示。按建造材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。年夜都国产管用***暗示，其中每一位都有特定寄义：如 <?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位暗示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频年夜功率管；G代表高频小功率管；A代表高频年夜功率管。最后面的数字是产物的序号，序号分歧，各类指标略有差别。寄望，二极管同三极管第二位意义根基不异，而第三位则寄义分歧。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有分歧，要在现实利用过程中寄望堆集资料。 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位寄义同国产管的第三位根基不异。 三、 常用中小功率三极管参数表 型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 200 2N5551 SI-NPN 0.625 600 180 2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 100 2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管
（1） 判别基极和管子的类型
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，频频上述法式，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，频频上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。
（2）判别集电极
因为三极管发射极和集电极准确毗连时β年夜（表针摆动幅度年夜），反接时β就小得多。是以，先假设一个集电极，用欧姆档毗连，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，南北极不能接触，若指针摆动幅度年夜，而把南北极对换后指针摆动小，则声名假设是准确的，从而确定集电极和发射极。
（2） 电流放年夜系数β的估算
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比力用手捏住基极和集电极（南北极不能接触），和把手铺开两种情况小指针摆动的巨细，摆动越年夜，β值越高。
,mso-font-kerning: 0pt" lang=EN-US>100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 ,, SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 200 2N5551 SI-NPN 0.625 600 180 2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 100 2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管
（1） 判别基极和管子的类型
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，频频上述法式，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，频频上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。
（2）判别集电极
因为三极管发射极和集电极准确毗连时β年夜（表针摆动幅度年夜），反接时β就小得多。是以，先假设一个集电极，用欧姆档毗连，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，南北极不能接触，若指针摆动幅度年夜，而把南北极对换后指针摆动小，则声名假设是准确的，从而确定集电极和发射极。
（2） 电流放年夜系数β的估算
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比力用手捏住基极和集电极（南北极不能接触），和把手铺开两种情况小指针摆动的巨细，摆动越年夜，β值越高。
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（1） 判别基极和管子的类型
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，频频上述法式，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，频频上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。
（2）判别集电极
因为三极管发射极和集电极准确毗连时β年夜（表针摆动幅度年夜），反接时β就小得多。是以，先假设一个集电极，用欧姆档毗连，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，南北极不能接触，若指针摆动幅度年夜，而把南北极对换后指针摆动小，则声名假设是准确的，从而确定集电极和发射极。
（2） 电流放年夜系数β的估算
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比力用手捏住基极和集电极（南北极不能接触），和把手铺开两种情况小指针摆动的巨细，摆动越年夜，β值越高。
,mso-font-kerning: 0pt" lang=EN-US>100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 ,, SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 200 2N5551 SI-NPN 0.625 600 180 2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 100 2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管
（1） 判别基极和管子的类型
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，频频上述法式，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，频频上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。
（2）判别集电极
因为三极管发射极和集电极准确毗连时β年夜（表针摆动幅度年夜），反接时β就小得多。是以，先假设一个集电极，用欧姆档毗连，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，南北极不能接触，若指针摆动幅度年夜，而把南北极对换后指针摆动小，则声名假设是准确的，从而确定集电极和发射极。
（2） 电流放年夜系数β的估算
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比力用手捏住基极和集电极（南北极不能接触），和把手铺开两种情况小指针摆动的巨细，摆动越年夜，β值越高。
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请问如何查看三极管的放大系数？我的三极管上写的是S9018，下一行写的是 H 331，我查看网上的资料，9018分为D--I档，其HFE从28--198倍，
那么是不是我这个是属于H档的呢？我查了资料上说H档的放大系数是97-146，可是我 此三极管电路疑问本帖最后由elec96325于2017-7-717:11编辑
如图，先大概描述下这个电路，U104为ETA4054充电IC，其第5pinPROG可以用来调整BAT的充电电流，正常输出1V，通过外部对地的电阻R127来确定充 除了霍尔 有什么方式能够 检测200除了霍尔 有什么方式能够 检测高频200Khz的BUCK电感电流过零点呢？
霍尔so 贵
比如说电阻
测过零点干吗用？
同步整流断续检测 关驱动信号
无标题.jp 如何测量两个含有谐波的波形相位差？如题，不知道是不是需要用FFT。之前只是知道FFT，也不是很了解。由于需要实时测量频率在20K~50Khz信号的相位差，不知道该如何下手了。如果不含谐波还好，但如果含有谐波就不知道怎
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