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MAXQ处理器的非易失存储功能

时间:2016-09-27 17:33:21  来源:  浏览量:

  为满足客户对非易失数据存储的要求,设计师通常会使用一个串行EEPROM。这些EEPROM器件体积很小、价格便宜、而且在市场上已经被长期使用,设计工程师使用这些器件非常便利。但是在当今对成本非常敏感的市场领域,增加一个并不昂贵的EEPROM可能会使设计超出预算。

  很多处理器使用闪存存储程序代码,使用静态RAM存储数据信息。尽管充分利用闪存未使用的部分作为非易失数据存储很有吸引力,但是传统的哈佛架构制约了这种应用。MAXQ架构属于哈佛架构,具有独立的代码和数据总线。但MAXQ器件包含的硬件部分可以实现伪冯诺依曼架构,如同访问数据空间一样访问代码空间。这种额外的多功能性,结合MAXQ的效用函数,可实现存储器的擦写服务,为完整的可读写非易失存储子系统提供了解决方案。

  关于闪存的基本考虑

  闪存是一种电子可擦除存储。通常也被认为是“主读”。简言之,尽管闪存是可写的,但数据更新并不会很频繁,多数的操作都是读操作。多数闪存器件从字面意思来讲都是可写的,但每次只能整块擦除。这使得那些存储器件通常都不适合用于易变存储,只适合用作从不改变内容的固定数据存储。

  有两种类型的闪存:NAND闪存和NOR闪存。NAND闪存用在存储卡和U盘中。通常,由于数据按时钟串行传输,从NAND器件中读数据需要数个周期。这种有序的操作使NAND闪存不适合用作程序代码存储,因为读取时间会太长。相反,NOR闪存类似传统字节宽度或字宽度存储。读取NOR闪存就像读取ROM器件:先发器件选择和地址命令,在等待足够的存取时间之后,从总线上读取数据。NOR闪存用于MAXQ处理器中。

  MAXQ处理器的闪存

  MAXQ处理器中使用的闪存单元被擦除时会变成“1”状态。因此,在擦除后,存储单元中的每个位置都将包含0xFFFF。对某一存储位置进行编程会把某些位从“1”变成“0”状态。为了使被编程过的位重新变回“1”状态,整个单元必须被擦除。

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