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高亮度LED关键技术MOCVD进展

时间:2014-04-30 01:43:38  来源:  浏览量:

然而上面讨论的产率增加,并不是增加MOCVD系统生产率的唯一措施。同时,外延片的均匀性必须改善到确保LED、5050LED工艺的最高芯片成品率的一个水平。从MOCVD反应炉的设计方面来说,这必须转化成一些特定要求。由于MOCVD RUN的均匀性主要是由良好控制的气相动力学和一致的温度分布决定,必须选择稳健设计,才能以正确的方式来控制这两个参数。
在行星式反应炉中,决定气相动力学的关键装置之一是喷嘴。为了获得最大稳定性和调整均匀性的能力达到最大,开发了特殊的喷嘴。三束流喷嘴有三个分开的注水区域,不仅允许独立地注入第III组和第V组气体,而且提供在上面的一个额外吹扫气流。这种层流注入气体避免任何类型的再流通,使之没有沉淀物。此外,通过调整上部气流,以准许微调生长的均匀性。喷嘴的设计也确保注入几何体保持固定并且气体以一种严格水平的方式注入。这意味着不需要机械调整,以获得突出的和可重复的均匀性。

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