MOS管主损耗是看Rds*Qgs还是Rds*Qg,这两个文章我都看到过,不知道哪个是对的。
一般是Rds*Qg,因为Qg包含Qgs。
哦,谢谢
哪里的文章
MOSFET的损耗可以分为三个部分:导通损耗,关断损耗和放电损耗,计算公式请参考
环形共模电感工作原理的讲解!共模电感的滤波电路,La和Lb就是共模电感线圈。环形共模电感 这两个线圈绕在同一铁芯上,匝数和相位都相同(绕制反向)。这样,当电路中的正常电流流经共模电感时,电流在同相位绕制的电感线圈中产生反向的磁场而相互抵消,此时正常信号电流主要受线圈电阻的影响(和少量因漏感造成的阻尼);当有共模电流流
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