NXP方案，满载工作在QR模式。初级MOS Drain电压异常。1为原理图，2、3为Drain脚电压和Rsense电流，4、5为Drain脚电压和栅极电压。
请问MOS关断之后连续的类似振荡的波形是怎么产生的，这个应该不是漏感和寄生电容的振荡，调节RCD基本没用。调了几天了，没有改善，求大神指点~
已经被添加到社区经典图库喽
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顶起~
漏感有多大？
减小漏感应该可以减小振荡的峰值。
并且可以偿试调节次级的吸收。
电感感值是420uH，之前漏感有12uH，换了三明治绕法之后有6uH，但是还是会出现这个振荡。次级现在用同步整流芯片驱动MOS，次级电流对应Drain脚振荡的时刻也会振荡的很厉害，尝试将次级同步整流芯片去掉直接用MOS体二极管去导通，同样会振荡。想不明白为什么在初级MOS关断之后，流过Rsense电阻的电流会有正有负，负方向可以理解为初级MOS的体二极管导通，但是正向电流的路径是怎样的？
这个是阻尼振荡，QR模式应该消不了。
你可搜索有关阻尼振荡的资料。
若是QR工作模式，此振荡可能属阻尼振荡，可调试一下驱动电阻试一下
试试哈
专家例说贴片元件（SMD）历史发展意义下面介绍一下贴片元件（SMD）常规的贴片电阻电容电感贴片元器件的封装为0402、0603、0805，比如0402，就是指长度为40mil，宽度为20mil，mil为毫英寸,1mil=0.0254mm, 40mil= 1mm。所以04
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