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EMI的产生分析

时间:2016-11-09 13:05:47  来源:  浏览量:

  我们来分析一下EMI的产生,忽略自然干扰的影响,在电子电路系统中我们主要考虑是电压瞬变和信号的回流这两方面。

  1 电压瞬变

  对于电磁干扰的分析,可以从电磁能量外泄方面来考虑,如果器件向外泄露的能量越少,我们可以认为产生的电磁干扰就比较小。对于高速的数字器件来说,产生高频交流信号时的电压瞬变是产生电磁干扰的一个主要原因。我们知道,数字信号在开关输出时产生的频谱不是单一的,而是融合了很多高次谐波分量,这些谐波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降时间来决定,信号上升和下降速率越快,即开关频率越高,则产生的能量越多。所以,如果器件在很短的时间内完成很大的电压瞬变,将会产生严重的电磁辐射,这个电磁能量的外泄就会造成电磁干扰问题。通常,高速数字电路的EMI发射带宽可以通过下面的公式计算:

  F=1/πTr,

  F为开关电路产生的最高EMI频率,单位为GHz,Tr为信号的上升时间或者下降时间,单位为ns。

  比如,对于上升时间为1ns左右的器件,那么它所产生的最高EMI频率将为350MHz,而如果上升时间降为为500ps,那么它的最高EMI发射频率将为700MHz,远远高于系统正常的工作频率,这将会在一定程度上影响周围其他系统的正常工作。

  显然,如果能减缓信号的上升沿,将会在很大程度上减少EMI,但是随着电子设计和芯片制造水平的发展,器件总是朝着高速方向发展,单一的降低信号开关速率显然是不现实的。但我们却可以通过降低信号电压来达到同样的目的,因为在相同的时间内,低电压器件需要跨越的逻辑门电压幅度较小,就同样减缓器件的上升沿速率,所以低电压器件也是高速电路发展的趋势。

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    开关电源的 EMI 干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。

    (1)功

  • [l连载一]反激无Y电源 通过变压器 背景:某品牌厨房电器电源部分采用PN8136做反激隔离设计,双路电源18V/0.35A 12V/0.3A总功率约10W,基于某种原因变压器原副边不允许加Y电容,EMI传导测试难以通过。


    交流与讨

  • 为解EMI,在输出端串联共模电感,这个如题。为了解EMI,看论坛里的帖子说可以在输出线前串入一个共模电感。请问这个电感的感量一般取多少啊?谢谢根据共模、差模干扰源的大小,选择合适的EMI滤波器,使其满足EMI要求。

  • 12V输入,5V/5A BUCK输出,用什么样的NMOS管比较好如题,12V输入电压,5V/5A的输出,现在手上有一颗开关频率500KHz的同步BUCK IC,外置双NMOS管,不知道用哪种NMOS管比较合适这种应用?广告要被删,留个联系方法,传资料给你。TDM3420 就可

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