6.假如知道比较正确的浪涌电流IPP，那么可以利用VC来确定其功率，假如无法确定功率的概范围，一般来说，选择功率大一些比较好。快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管（SRD）
快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等长处。超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不中断电源（UPS）、交流电念头变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
1．机能特点
（1）反向恢复时间
反向恢复时间tr的定义是：电畅通流畅过零点由正向转换到划定低值的时间距离。它是衡量高频续流及整流器件机能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常划定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，因为整流器件上的正向电压溘然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到划定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
（2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。因为基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。具体资料请访问我们的网站http://www.pad-china.cn
请叫一个电容与电阻并联时的问题请看图：
总电压应该是直流与交流的叠加，叠加后的电压应该也是一个交流，
因为C1与R1是并联的，那么C1和R1两端的电压也都是总的电压，也
就是两个电源的叠加交流电压，那么C1和R1的 LLC等效变换，电感极性看了一篇关于LLC的文章，关于等效后电感的极性,电路上电感是左正，右负。等效后变成左负右正，是什么原因呢
最好把原文贴出来，猜不出来的
一个周期的伏秒和要为零 [开关电源]电源冷知识+零欧姆电阻本帖最后由LED2013于2017-7-2120:43编辑
对于一个初次搞电源的人来说，对于0欧姆电阻大概都不懂的，觉得没啥用的巨多吧，但是还真有一些地方会用到哦，这也算是一个冷知识了。
可能 晶体管应用中异常现象的分析和实例体味晶体管的电参数，是为了用好晶体管。什么叫用好晶体管？是一个智者见智，仁者见仁的题目问题，我相信不会有独一的谜底。我想，作为电子应用工程师，除了对晶体管有所体味，还必需对其它的电子元器件有所体味。在你设计的电路中，就是你对这些元器件理解的组合。在一个电路中，让晶体管工作在最合适的工作点上，阐扬着最佳机能，在完成
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