Y5V（2F4）（Z5U）：具有较低高的介电常数，常用于生产比容较大的、标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度，电压等测试条件较敏感。
1.14.1、退藕电容的一般配置原则
● 电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
● 为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。
● 对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
● 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
● 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电，必须RC 电路来吸收放电电流。一般 R 取 1 ~ 2K，C取2.2 ~ 47UF。
● CMOS的输入阻抗很高，且易受感应，因此在使用时对不用端要接地或接正电源。
● 设计时应确定使用高频低频中频三种去耦电容，中频与低频去耦电容可根据器件与PCB功耗决定,可分别选47-1000uF和470-3300uF；高频电容计算为: C=P/V*V*F。
● 每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。
● 用大容量的钽电容或聚酷电容而不用电解电容作电路充放电储能电容。使用管状电时，外壳要接地。
由于大部分能量的交换也是主要集中于器件的电源和地引脚，而这些引脚又是独立的直接和地电平面相连接的。这样，电压的波动实际上主要是由于电流的不合理分布引起。但电流的分布不合理主要是由于大量的过孔和隔离带造成的。这种情况下的电压波动将主要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。
请叫一个电容与电阻并联时的问题请看图：
总电压应该是直流与交流的叠加，叠加后的电压应该也是一个交流，
因为C1与R1是并联的，那么C1和R1两端的电压也都是总的电压，也
就是两个电源的叠加交流电压，那么C1和R1的 LLC等效变换，电感极性看了一篇关于LLC的文章，关于等效后电感的极性,电路上电感是左正，右负。等效后变成左负右正，是什么原因呢
最好把原文贴出来，猜不出来的
一个周期的伏秒和要为零 [开关电源]电源冷知识+零欧姆电阻本帖最后由LED2013于2017-7-2120:43编辑
对于一个初次搞电源的人来说，对于0欧姆电阻大概都不懂的，觉得没啥用的巨多吧，但是还真有一些地方会用到哦，这也算是一个冷知识了。
可能 如何实现EMC的测试工作？摘要讲述 EMC 的定义，EMC 在单片机应用系统的测试方法，EMC 新器件新材料的应用以及故障排除技术。只要从事电子产品的研发、生产或者供应，就必须进行 EMC 电磁兼容的检测工作。
5/7 首页 上一页 3 4 5 6 7 下一页 尾页 |
