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第三代半导体材料双雄并立难分高下

时间:2014-02-21 13:07:13  来源:  浏览量:

  说完了SiC,再来说说GaN。在上世纪90年代以前,因为缺乏合适的单晶沉底材料,而且位错密度比较大,其发展缓慢,但进入90年代以后,其发展迅速,年均增长率达30%,已经成为大功率LED的关键性材料。同SiC一样,GaN也开始进军功率器件市场。虽然,2012年的GaN市场上,IR和EPC公司是仅有的两家器件供应商,但是到明年,可能会有多家公司推出自己的产品。如果这些厂家在2014年扩充产能,在2015年推出600V耐压的GaN功率器件,整个市场的发展空间将得到极大地扩充。

  GaN的起步较SiC为早,但是SiC的发展势头更快。在早期,两者因应用领域不同,直接竞争的机会并不大。但随着功率半导体市场向两者打开,面对面竞争就不可避免了。工业、新能源领域已经成为两者的战场,而在汽车领域,因为价格原因,厂商虽愿意采用传统的Si器件。不过,随着GaN和SiC的快速发展,成本越来越接近Si器件,大规模登陆这个市场的时间应该不远了。

  现在,Si晶圆的主流尺寸已经达到300mm(12英寸),但是SiC和GaN只能做到150mm(6英寸),这个差别的弥补还是需要一段时间的。但是对于半导体业界,投资者和大众来说,出现了能挑战传统势力的新贵,还是非常有意义的。在持续的关注和投入下,这两者肯定能开出绚烂的花朵。

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